发明名称 | 电容检测型传感器及其生产方法 | ||
摘要 | 电容传感器电极在半导体衬底上以矩阵形式排列并且用覆盖薄膜涂覆。该电容传感器电极与驱动电路相连。ESD电极排列在该电容传感器的角部附近。每一ESD电极由包含例如导电性良好的铝的薄膜和形成在其上的TiN薄膜组成。该ESD电极通过半导体衬底接地。在每一ESD电极上,从覆盖薄膜的表面达到ESD电极的多个ESD孔被形成。 | ||
申请公布号 | CN1217186C | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
申请号 | CN02152825.X | 申请日期 | 2002.11.25 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 伊藤昌树;小野寺秀夫;岩本茂 |
分类号 | G01N27/22;A61B5/117 | 主分类号 | G01N27/22 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯赓宣 |
主权项 | 1、一种具有多个电容传感器电极的电容检测型传感器,包括:衬底;形成于衬底上的绝缘薄膜;第一静电放电电极薄膜,所述第一静电放电电极薄膜导电并且形成于绝缘薄膜上;第二静电放电电极薄膜,第二静电放电电极薄膜导电并且被形成为与第一静电放电电极薄膜电连接;和覆盖多个电容传感器电极表面并且具有多个设置在其中的开口的覆盖薄膜,所述多个开口到达第二静电放电电极薄膜。 | ||
地址 | 日本神奈川 |