奈米碳管的图腾形成方法

摘要

本发明是关于一种奈米碳管的图腾形成方法，是提供一种奈米碳管的图腾形成方法制作高解析的图腾化电子发射源层；利用可微影制程的负型光阻材料图腾化制作高解析的荫罩阻隔层，再以喷涂奈米碳管喷涂液形成奈米碳管层，接着以烧结过程移除荫罩阻隔层并同时使图腾化的奈米碳管层固着于阴极导电层以形成电子发射源层。依本发明方法实施的电子发射源层可满足高解析图腾的需求，并且以喷涂的制作奈米碳管层，其涂层厚度薄，电子产生效率与均匀性均高，从而更加适于实用。

主权项

1、一种奈米碳管的图腾形成方法，是用于具显示功能的电子装置，其特征在于其包括以下步骤：(1)、在阴极基板含阴极导电层的一侧涂布一负型光阻层；(2)、以曝光显影制程造成电子发射源层的镂空区域以制作荫罩阻隔层；(3)、喷涂奈米碳管喷涂溶液，使奈米碳管填充沾附于镂空区域内，以成为初始的电子发射源层；以及(4)、以高温烧结或真空烧结移除荫罩阻隔层及附着于其上的非有效的奈米碳管，并在此烧结过程使该镂空区域内的奈米碳管层固着于阴极导电层上，以形成电子发射源层。