发明名称 |
电子发射装置 |
摘要 |
本发明涉及一种电子发射装置,尤其涉及一种包含格栅极的电子发射装置,该格栅极具有在电子发射装置的第一和第二基板的热膨胀系数的大约80%到大约120%的范围内的热膨胀系数。通过使由格栅极和电子发射装置的第一及第二基板之间的热膨胀系数的差异引起的未对准最小化,格栅极固定于适当位置。格栅极还能使弧光放电的产生最小化。然而,即使产生了弧光放电,格栅极也能够阻止弧光放电对阴极和栅极的损坏。根据本发明,通过在阳极上施加增大的电压,易于实现具有增高的亮度和分辨率的电子发射装置。 |
申请公布号 |
CN1661758A |
申请公布日期 |
2005.08.31 |
申请号 |
CN200510054252.3 |
申请日期 |
2005.02.25 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
池应准;全祥皓;李炳坤 |
分类号 |
H01J29/02;H01J29/46;H01J1/46;H01J29/86;H01J1/30;H01J31/12 |
主分类号 |
H01J29/02 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种电子发射装置,其包括:构成真空容器且两者之间具有预定间隙彼此相对地设置的第一基板和第二基板;在所述第一基板的绝缘层上以绝缘状态设置的阴极和栅极;包括电子发射材料并在所述阴极上形成的电子发射区;在所述第二基板上设置的至少一个阳极和红、绿和蓝色荧光层;和安装于所述真空容器中并配置有使所述电子发射区发射出的电子通过的孔的格栅极,其中所述格栅极的热膨胀系数在所述第一和第二基板的热膨胀系数的80%-120%的范围内。 |
地址 |
韩国京畿道 |