单结晶晶片

摘要

本发明涉及一种单结晶晶片，特征在于单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01-1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面，且晶片的厚度(μm)/晶片的直径(mm)≤3。由此，可通过提供即使晶片厚度薄，也可承受器件工艺的单结晶晶片，可降低单结晶原料的损失。另外，通过利用如此的晶片，可低成本地提供MIS型半导体器件。

主权项

1、一种单结晶晶片，其特征是：单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，在[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、在[01-1]方向具有β(0°＜β＜90°)、在[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面，且晶片的厚度(μm)/晶片的直径(mm)≤3。