| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen aus Silicium od. dgl. durch Anwendung eines chemischen AEtzvorganges an der Stelle des p-n-UEberganges |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1040135(B) |
申请公布日期 |
1958.10.02 |
| 申请号 |
DE1956S051047 |
申请日期 |
1956.10.27 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
PICHL DIPL.-PHYS. HEINZ;SOKOLOWSKI USCHI-EVA |
| 分类号 |
C23F1/00;C23F1/24;H01L21/00;H01L21/306 |
主分类号 |
C23F1/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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