发明名称 |
有机硅酸盐聚合体和含有该有机硅酸盐聚合体的绝缘膜 |
摘要 |
本发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物,特别涉及一种有机硅酸盐聚合体,所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备:混合在它的两个端用硅烷化合物封端的可热分解的有机硅烷化合物、普通硅烷化合物或者硅烷低聚物,然后加入水和催化剂以进行水解和缩合,而且本发明涉及一种含有该有机硅酸盐聚合体的用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物,用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物还含有成孔有机物质,本发明涉及通过涂敷该组合物并固化制备半导体器件绝缘膜的方法,及含有通过该方法制备的低电介绝缘膜的半导体器件。根据本发明制备的一种具有优异的热稳定性和机械强度的有机硅酸盐聚合体;一种含有该有机硅酸盐聚合体的形成绝缘膜的组合物可用于低电介配线的中间层绝缘膜,其可提供高速半导体、减少功率消耗并显著地减少金属配线之间的相互干扰;通过将组合物施加到绝缘膜上得到的薄膜具有优异的涂覆性能,可阻止相分离,可容易地控制微孔,因为在固化过程中有机物质热分解形成孔,而且它具有优异的绝缘性能和显著降低的薄膜密度。 |
申请公布号 |
CN1662578A |
申请公布日期 |
2005.08.31 |
申请号 |
CN03814811.0 |
申请日期 |
2003.06.27 |
申请人 |
LG·化学株式会社 |
发明人 |
姜晶元;文明善;高敏镇;姜贵权;申东析;南惠映;金永得;催范圭;金秉鲁;朴相敃 |
分类号 |
C08G77/06;H01L21/31;H01L23/58 |
主分类号 |
C08G77/06 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
郭国清;樊卫民 |
主权项 |
1.一种制备有机硅酸盐聚合体的方法,包括如下步骤:混合可热分解的在它的两个端用硅烷化合物封端的有机硅烷化合物、硅烷化合物或者硅烷低聚物,然后向其中加入水和催化剂以进行水解和缩合。 |
地址 |
韩国汉城 |