发明名称 |
控制氮化物只读存储单元的启始电压的方法 |
摘要 |
一种具有单侧读取的双侧程序化的方法,此方法提供具有不同储存电荷量的氮化硅只读存储单元,并利用双位间不同的交互作用控制启始电压的操作窗。由于氮化硅只读存储器的启始电压操作窗的增加,并通过左位、右位、电荷量以及其双位的电荷位置的组合,可使氮化硅只读存储达到2位、4位、8位与16位的存储状态。 |
申请公布号 |
CN1661794A |
申请公布日期 |
2005.08.31 |
申请号 |
CN200410101485.X |
申请日期 |
2004.12.16 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
吴昭谊 |
分类号 |
H01L21/8246;H01L27/112;G11C11/34 |
主分类号 |
H01L21/8246 |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种操作可存储多位阶电荷的存储单元的方法,其特征在于:包括:从每一存储单元的一右侧与一左侧进行程序化,该右侧可存储一右位,且该左侧可存储一左位,当该右位与该左位之间存在交互作用时,则设定用于该存储单元的程序化的一电荷量;以及从该存储单元的一单一侧读取该存储单元的一电荷位阶。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |