| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件，包括：基板；在基板上设置的n型导电性的GaN系半导体；在n型导电性的GaN系半导体上设置的p型导电性的GaN系半导体。并在具有n型导电性的GaN系半导体层表面以及具有p型导电性的GaN系半导体层表面上形成电极，其中，在具有p型导电性的GaN系半导体层表面，形成至少含有银的第1电极，和包围第1电极周围且不含银的第2电极。并且，第1电极在比第1电极外围内侧之处，具有使具有p型导电性的GaN系半导体层露出的开口部。从而可以实现光利用效率，并具有高可靠性的半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1217425C | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
| 申请号 | CN02803274.8 | 申请日期 | 2002.07.12 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 山田元量;园部真也;佐野雅彦 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，包括：基板；在所述基板上设置的第1导电型半导体层；和在所述第1导电型的半导体层上设置的第2导电型半导体层，所述第2导电型不同于所述第1导电型，在所述第2导电型半导体层表面上，分别设置有至少含有银的第1电极和不含银的第2电极，并且所述第2电极包围所述第1电极周围。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||