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发明名称 IMPROVEMENT METHOD FOR SINGLE CRYSTAL YIELD OF GAAS
摘要
申请公布号 KR20050083267(A) 申请公布日期 2005.08.26
申请号 KR20040011732 申请日期 2004.02.23
申请人 NEOSEMITECH INC. 发明人 OH, MYUNG HWAN;KIM, HYUN CHUL;KIM, KWANG HO
分类号 C30B29/42;(IPC1-7):C30B29/42 主分类号 C30B29/42
代理机构 代理人
主权项
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