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发明名称 CRYSTAL GROWTH PROCESS FOR CRACK-FREE GAAS SINGLE CRYSTALS GROWN BY LEC
摘要
申请公布号 KR20050083265(A) 申请公布日期 2005.08.26
申请号 KR20040011730 申请日期 2004.02.23
申请人 NEOSEMITECH INC. 发明人 OH, MYUNG HWAN;CHUNG, HYUN SEOK;KIM, KWANG HO
分类号 C30B29/42;(IPC1-7):C30B29/42 主分类号 C30B29/42
代理机构 代理人
主权项
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