| 摘要 |
In einem Peripherieabschnitt eines IGBT-Chips ist eine Zwischenpotentialelektrode (20) zwischen einer Feldplatte (14) und einer Feldplatte (15) auf einem Feldoxidfilm (13) derart vorgesehen, daß sie eine IGBT-Zelle umgibt. Die Zwischenpotentialelektrode (20) wird mit einem vorbestimmten Zwischenpotential zwischen den Potentialen an einer Emmitterelektrode (10) und einer Kanalstopelektrode (12) von einem Zwischenpotentialanlegemittel versorgt, das dezentral in einem Teilbereich in dem Chipperipherieabschnitt ausgebildet ist. |
