发明名称 POSITIVE-WORKING PHOTORESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERNING METHOD USING SAME
摘要
申请公布号 KR100510020(B1) 申请公布日期 2005.08.25
申请号 KR20010052726 申请日期 2001.08.30
申请人 发明人
分类号 G03F7/039;C08F2/44;C08F257/00;C08K5/00;C08K5/09;C08K5/17;C08L25/18;G03F7/004;G03F7/40;H01L21/027;(IPC1-7):G03F7/039;G03F1/08 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人
主权项
地址