Halbleiterspeicherzelle sowie zugehöriges Herstellungsverfahren

摘要

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterspeicherzelle sowie ein zugehöriges Herstellungsverfharen, wobei ein Speicherkondensator mit einem Auswahltransistor (AT) verbunden ist. Der Speicherkondensator ist hierbei als Kontaktloch-Kondensator (KK) in zumindest einem Kontaktloch für ein Source- oder Draingebiet (S, D) ausgebildet. Eine derartige Halbleiterspeicherzelle kann besonders kostengünstig hergestellt werden und ermöglicht eine hohe Integrationsdichte.