| 发明名称 | 带凹槽栅极的晶体管 | ||
| 摘要 | 利用蚀刻过程由导电材料单层来制作出一个具有T型横截面栅极的晶体管。经过两次蚀刻之后形成具有凹槽型面的侧壁。凹槽使源极区和漏极区能被注入进衬底，并且可以在不生成栅极额外叠加电容的情况下进行热处理。减少叠加电容能提高晶体管的操作性能包括驱动电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1216427C | 申请公布日期 | 2005.08.24 |
| 申请号 | CN99814159.3 | 申请日期 | 1999.12.07 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | C·楚;T·A·莱特森 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3213 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1.一种集成电路晶体管，它包括：源极；漏极；和凹槽单层多晶硅栅极，该凹槽单层多晶硅栅极具有两个垂直侧壁，包括一个凹槽，其在所述栅极的每个垂直侧壁下面延伸的横向间距在5纳米和20纳米之间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||