GaP外延片及GaP发光元件

摘要

提供可获得更高亮度的GaP外延片及使用其外延片的GaP发光元件。本发明的GaP外延片3是在n型GaP单结晶基板10的{111}B面形成n型GaP缓冲层11的GaP外延片，将{01－1}裂面选择蚀刻后于n型GaP缓冲层11处观测到的梳齿状结晶缺陷的条数，为每100μm的成长界面为30条以下，其中该结晶缺陷为处于n型GaP缓冲层11成长界面且与平行面交叉并且延伸的梳齿状结晶缺陷。使用该GaP外延片3制作出的GaP发光元件1，具备高亮度。

主权项

1、在n型GaP单结晶基板之{111}B面上形成的n型GaP层的GaP外延片，其特征在于，在将{01-1}裂面选择蚀刻后，于n型GaP层处可观察到的梳齿状结晶缺陷的条数为每100μm的成长界面为30条以下，其中该结晶缺陷为处于n型GaP层成长界面且与平行面交叉并且延伸的梳齿状结晶缺陷。