发明名称 周期结构宽带隙半导体氧化锌薄膜的制备方法
摘要 周期结构宽带隙半导体ZnO薄膜的制备法是一种半导体薄膜材料的制备及先进紫外激光器材料的构建方法,该法先用溶胶-凝胶法制备SiO<SUB>2</SUB>微球,然后用垂直浸渍法制备SiO<SUB>2</SUB>微球的蛋白石结构模板,最后用化学沉积法制备周期结构ZnO薄膜。SiO<SUB>2</SUB>微球用正硅酸乙酯在碱性乙醇溶液中水解来制备;SiO<SUB>2</SUB>微球的蛋白石结构模板是将导电玻璃垂直浸入SiO<SUB>2</SUB>稀胶体中,待其自然挥发到使玻璃脱离液面时即在其上形成SiO<SUB>2</SUB>膜。周期结构ZnO薄膜是将模板用碱水浸渍处理,漂洗后浸入Zn(NO<SUB>3</SUB>)<SUB>2</SUB>水溶液中,经漂洗后再浸入Na<SUB>2</SUB>CO<SUB>3</SUB>水溶液中,经漂洗后再重复后两步操作5-15次,最后漂洗、晾干、退火,使生成的ZnCO<SUB>3</SUB>分解为ZnO。
申请公布号 CN1216402C 申请公布日期 2005.08.24
申请号 CN03132393.6 申请日期 2003.08.20
申请人 东南大学 发明人 张宇;马明;顾宁
分类号 H01L21/02;H01L21/205 主分类号 H01L21/02
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 沈廉
主权项 1、一种周期结构宽带隙半导体氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于该方法首先采用溶胶—凝胶法制备SiO2微球,然后用垂直浸渍法制备SiO2微球的蛋白石结构模板,最后采用化学沉积法制备周期结构氧化锌薄膜;采用溶胶—凝胶法制备SiO2微球的方法是:先将氨水加入乙醇中,形成第一种混合液,然后将正硅酸乙酯加入另一容器中的乙醇中形成第二种混合液,将两种混合液进行反应得到SiO2胶体,经陈化后,分离掉下层沉淀,即可得SiO2微球;用垂直浸渍法制备SiO2微球的蛋白石结构模板的方法是:先将SiO2胶体与乙醇以1∶2的比例混合形成稀释液,然后将导电玻璃垂直放入该稀释液中,待该稀释液自然挥发使液面下降,当导电玻璃脱离液面时,在导电玻璃上即形成了一层SiO2薄层,这样即形成蛋白石结构的模板;采用化学沉积法制备周期结构ZnO薄膜的方法是:先将制好的蛋白石结构的模板用碱水浸渍处理,漂洗后再浸Zn(NO3)2水溶液中,经漂洗后再浸入Na2CO3水溶液中,经漂洗后再重复以上浸入Zn(NO3)2和Na2CO3的操作5-15次,最后漂洗、晾干、退火,使生成的ZnCO3分解为ZnO。
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