蚀刻方法

摘要

本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器(1)内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40％以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH₃气体和O₂气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40％的蚀刻图案的情况下，使用NH₃气体作为蚀刻气体。

主权项

1.一种蚀刻方法，其特征是，在处理容器内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40％以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40％的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。