具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构

摘要

本实用新型提供一种具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构。此晶体管结构包括一具有应变沟道区的基底，该基底包含第一自然晶格常数的第一半导体材料，于一表面，一栅极介电层覆盖此应变沟道区，一栅极电极覆盖此栅极介电层，且一源极区与漏极区位于此应变沟道区的相对邻近处，此源极区与/或漏极区包含一晶格不相称区，该晶格不相称区包含第二自然晶格常数的第二半导体材料，此第二自然晶格常数与第一自然晶格常数相异。

主权项

1.一种具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构，其特征在于所述应变沟道晶体管结构包括：一应变沟道区，包括具有第一自然晶格常数的第一半导体材料；一覆盖该变形沟道区的栅极介电质层；一覆盖该栅极介电质层的栅极电极；以及一源极区与漏极区位于该变形沟道区相对相邻处，该源极与/或漏极包含一晶格不相称区，该晶格不相称区包括具有第二自然晶格常数的第二半导体材料，该第二自然晶格常数与该第一自然晶格常数相异。