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发明名称 GATE STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME AND METHODS OF FORMING THE GATE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050082460(A) 申请公布日期 2005.08.24
申请号 KR20040010882 申请日期 2004.02.19
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 YOUN, JAE MAN;PARK, DONG GUN;LEE, CHOONG HO;YOSHIDA MAKOTO;LEE, CHUL
分类号 H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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