基板处理方法

摘要

一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

主权项

1.一种基板处理方法，氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，其特征在于，该方法包括：氮化处理工序，通过微波激励等离子体激励氮气，由形成的原子团或者离子来氮化所述氧化膜，所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：在不到500℃的基板温度，将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持有所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。