一种金属层间介电层的制造方法

摘要

本发明披露一种可改善高密度等离子体化学气相沉积法所成形的金属层间介电层均匀度控制不佳的情况的制造方法，首先是在制作有多个内连导线的半导体基底上，共形形成一均匀性与附着性佳的薄PE-TEOS。而后，以高密度等离子体化学气相法于第一氧化层上形成第二氧化层，并填入那些内连导线间的间隙。最后，再以等离子体增强化学气相沉积法于第二氧化层上形成第三氧化层。根据本发明的方法，不仅可达到极佳的间隙填充效果，可改善介电层品质不佳的情形。

主权项

1.一种金属层间介电层的制造方法，适用于制作有多条内连导线的半导体基底上，该制造方法包括下列步骤：在制作有多个内连导线的半导体基底上，以等离子体增强化学气相沉淀法共形地形成以四乙氧基硅烷为主要反应物的第一氧化层；以高密度等离子体化学气相沉积法于该第一氧化层上形成第二氧化层；以及以等离子体加强化学气相沉积法于该第二氧化层上形成形成以四乙氧基硅烷为主要反应物的第三氧化层。