| 发明名称 | 生长晶体中使用的装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及生产均匀晶体的新型系统。该系统依靠其晶体产物的特性而用于各种化学、制药、农业和生物技术应用。本发明特征在于在物理上分离和控制工业规模结晶方法中使用的晶体成核和生长区域。本发明还提供优选成核和结晶非手性和手性化合物的所需晶体结构(对映体、溶剂化物、多形体)类别的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1658936A | 申请公布日期 | 2005.08.24 |
| 申请号 | CN03812729.6 | 申请日期 | 2003.04.02 |
| 申请人 | 纳幕尔杜邦公司 | 发明人 | D·A·格里恩 |
| 分类号 | B01D9/00;C30B7/00 | 主分类号 | B01D9/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;赵苏林 |
| 主权项 | 1.一种产生晶体的方法，包括：(a)提供通过溶液室中成核表面前表面的第一饱和溶液流；(b)使大量晶体形成到成核表面前表面上；(c)生长晶体一定的时间以形成具有所需尺寸的大量晶体；(d)从成核表面移去和释放大量晶体到溶液室中的第一饱和溶液中；(e)使移去的晶体和第一饱和溶液离开成核表面；和(f)重复生长步骤(c)和移去和释放步骤(d)至少一次。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州威尔明顿 | ||