TRANSISTORS HAVING BURIED P-TYPE LAYERS BENEATH THE SOURCE REGION AND METHODS OF FABRICATING THE SAME,申请号EP20030812016-传众专利搜索

发明名称	TRANSISTORS HAVING BURIED P-TYPE LAYERS BENEATH THE SOURCE REGION AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号	EP1565946(A1)	申请公布日期	2005.08.24
申请号	EP20030812016	申请日期	2003.10.02
申请人	CREE, INC.	发明人	SRIRAM, SAPTHARISHI
分类号	H01L29/812;H01L21/04;H01L21/338;H01L29/20;H01L29/24;(IPC1-7):H01L29/812	主分类号	H01L29/812
代理机构		代理人
主权项
地址