非易失性存储电路及其驱动方法和使用该存储电路的半导体装置

摘要

本发明涉及一种非易失性存储电路，其特征在于，具有：各自的栅极和漏极连接而构成第一逆变器的第一和第二晶体管(101、102)；各自的栅极和漏极相互连接而构成第二逆变器的第三和第四晶体管(103、104)；字码线(107)连接栅极、且连接在第一比特线(108)和第二逆变器的输入端子之间的第五晶体管(105)；字码线(107)连接栅极、且连接在第二比特线(109)和第一逆变器的输入端子之间的第六晶体管(106)；和分别和第一及第二逆变器串联连接的第一及第二电阻元件(114、115)，第一逆变器的输入和输出端子分别和第二逆变器的输入和输出端子连接，与接地线(111)连接的第一及第二电阻元件(114、115)的电阻值可电气变化。

主权项

1.一种非易失性存储电路，其特征在于，包括：由相互连接各自的栅极、且将第一节点夹在其间而连接各自的漏极的第一晶体管与第二晶体管构成的第一逆变器；由相互连接各自的栅极、且将第二节点夹于其间而连接各自的漏极的第三晶体管与第四晶体管构成的第二逆变器；字码线连接于栅极，连接于第一比特线和所述第一节点之间的第五晶体管；和所述字码线连接于栅极，连接于第二比特线和所述第二节点之间的第六晶体管，所述第一节点与所述第三晶体管的栅极及第四晶体管的栅极连接，所述第二节点与所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的源极及所述第三晶体管的源极连接于接地线，所述第二晶体管的源极及所述第四晶体管的源极连接于电源线，还具有电阻值可电气变更的第一电阻元件和第二电阻元件，所谓所述第一电阻元件以及所述第二电阻元件是指满足从以下位置关系中选出的第一至第四位置关系中任意一个：第一位置关系，其中，所述第一电阻元件连接于所述第一晶体管的源极和所述接地线之间，所述第二电阻元件连接于所述第三晶体管的源极和所述接地线之间；第二位置关系，其中，所述第一电阻元件连接于所述第二晶体管的源极和所述电源线之间，所述第二电阻元件连接于所述第四晶体管的源极和所述电源线之间；第三位置关系，其中，所述第一电阻元件连接于所述第一节点和所述第一晶体管的漏极之间，所述第二电阻元件连接于所述第二节点和所述第三晶体管的漏极之间；和第四位置关系，其中，所述第一电阻元件连接于所述第一节点和所述第二晶体管的漏极之间，所述第二电阻元件连接于所述第二节点和所述第四晶体管的漏极之间。