发明名称 | 用于处理衬底的等离子体方法和装置 | ||
摘要 | 本发明的实施例主要提供了一种形成氮化物栅极介电层的方法。此方法包括通过往处理腔室中注入含氮的处理气体,在处理气体中施加电离能量而在处理腔室中产生含氮的等离子体,将电离能量作脉冲调制以保证含氮的等离子体的电子平均温度不超过0.7eV。 | ||
申请公布号 | CN1659680A | 申请公布日期 | 2005.08.24 |
申请号 | CN03813079.3 | 申请日期 | 2003.06.12 |
申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | P·A·克劳斯;T·C·蔡;J·霍兰德;J·P·克鲁斯 |
分类号 | H01J37/32;H01L21/314;H01L21/318 | 主分类号 | H01J37/32 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
主权项 | 1.一种处理衬底的方法,其包括:在腔室中产生含氮等离子体,所述等离子体具有至少为1010cm-3 的离子密度,以及低于20V的电势;和将衬底上的一层暴露于所述等离子体中,以将该等离子体中的氮掺入所述衬底的层。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |