发明名称 |
用含碳坩埚处理氯化稀土或溴化稀土或碘化稀土的方法 |
摘要 |
本发明涉及含有稀土卤化物的组合物的处理方法,特别是在使用所述组合物生长晶体的范围内的处理方法,所述晶体一般具有式A<SUB>e</SUB>Ln<SUB>f</SUB>X<SUB> (3f+e)</SUB>,其中式中Ln代表一种或多种稀土,X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子,而A代表一种或多种碱金属,例如K、Li、Na、Rb或Cs,e和f代表如下的值:e可以是零,小于或等于2f;f是大于或等于1。本发明这样可以实施具有显著闪烁性能单晶的生长。 |
申请公布号 |
CN1659318A |
申请公布日期 |
2005.08.24 |
申请号 |
CN03813659.7 |
申请日期 |
2003.06.11 |
申请人 |
圣戈班晶体及检测公司 |
发明人 |
A·伊尔蒂斯;V·欧斯彭斯基 |
分类号 |
C30B11/00;C30B15/00;C30B29/12 |
主分类号 |
C30B11/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
范赤;段晓玲 |
主权项 |
1、使用不传热的材料处理含有主要是氯化物、溴化物或碘化物类的稀土卤化物的组合物的方法,其特征在于所述材料含有至少20重量%碳,在高于500℃温度下,所述的组合物与所述的材料以熔融态进行接触。 |
地址 |
法国库伯瓦 |