| 发明名称 |
NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH IMPROVED ON CELL THRESHOLD VOLTAGE CHARACTERISTICS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050082332(A) |
申请公布日期 |
2005.08.23 |
| 申请号 |
KR20040010759 |
申请日期 |
2004.02.18 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, JU RI |
| 分类号 |
H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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