| 主权项 |
1.一种积体电路之图案设计方法,其特征为包含:对于设计积体电路之电路图案用之第一设计资料中之至少一部份之部份资料,计算出考虑在转印上述电路图案时使用的曝光光罩的规格値的在被处理基板上之微影工序余量之工序;比较上述计算出之微影工序余量与在上述处理基板上实际有必要之微影工序余量之工序;当判断出上述计算出来之微影工序余量比上述实际必要之微影工序余量小时,修正上述部份资料,使得上述被处理基板上之微影工序余量成为与上述实际必要之微影工序余量同等以上之大小之工序;及使用上述修正之部份资料来更新上述第一设计资料,制作出第二设计资料之工序。2.如申请专利范围第1项之积体电路之图案设计方法,其中各上述部份资料对上述第一设计资料之全部资料进行由计算出上述被处理基板上之微影工序余量之工序至修正上述部份资料之工序。3.如申请专利范围第1项之积体电路之图案设计方法,其中对上述第一设计资料之全部资料一并进行计算出上述被处理基板上之微影工序余量的工序、及比较上述计算出来之微影工序余量与上述被处理基板上实际必要之微影工序余量之工序;并且上述一并计算出来之微影工序余量中包含比上述必要之微影工序余量小的部份时,由上述第一设计资料中检测出与该小的部份相对应之上述部份资料;修正上述部份资料,使得对所检测出之上述部份资料之上述被处理基板上的微影工序余量成为与上述实际必要之微影工序余量同等以上之大小。4.如申请专利范围第1项之积体电路之图案设计方法,其中作为上述曝光光罩之规格値,使用关于上述曝光光罩之尺寸者、上述曝光光罩为相移光罩时系关于其穿透率或相位差者、关于上述曝光光罩之光罩缺陷者及关于上述曝光光罩之光罩图案的描绘误差者,或组合该等中之几个者。5.如申请专利范围第1项之积体电路之图案设计方法,其中计算出上述被处理基板上之微影工序余量的工序系计算出上述微影工序中对上述被处理基板上之尺寸变动容许値之余量。6.如申请专利范围第5项之积体电路之图案设计方法,其中作为上述微影工序中对上述被处理基板上之尺寸变动容许値之余量,计算出上述微影工序中之处理摆动余量。7.如申请专利范围第6项之积体电路之图案设计方法,其中作为上述微影工序中之处理摆动,使用焦点摆动及曝光量摆动中之至少一方。8.一种曝光光罩之制作方法,其特征为包含:对于设计积体电路之电路图案用之设计资料中之至少一部份之部份资料,计算出考虑转印上述电路图案时使用之曝光光罩之第一规格値之被处理基板上之微影工序余量之工序;比较上述计算出之微影工序余量与上述处理基板上实际有必要之微影工序余量之工序;当判断出上述计算出来之微影工序余量比上述实际必要之微影工序余量小时,变更上述第一规格値中使上述计算出来之微影工序余量比上述实际必要之微影工序余量小的规格値,使得上述被处理基板上之微影工序余量成为与上述实际必要之微影工序余量同等以上之大小之工序;使用上述变更之规格値来更新上述第一规格値,设定第二规格値之工序;及将转印上述电路图案用之光罩图案依上述第二规格値形成于上述曝光光罩之工序。9.如申请专利范围第8项之曝光光罩之制作方法,其中各前述部分资料对前述设计资料之全部资料进行由计算出上述被处理基板上之微影工序余量之工序至变更上述规格値之工序。10.如申请专利范围第8项之曝光光罩之制作方法,其中对上述设计资料之全部资料一并进行计算出上述被处理基板上之微影工序余量的工序、及比较上述计算出来之微影工序余量与上述被处理基板上实际必要之微影工序余量之工序;并且上述一并计算出来之微影工序余量中包含比上述必要之微影工序余量小的部份时,由上述第一规格値中检测出与该小的部份相对应之上述规格値;变更上述规格値,使得对所检测出之上述规格値之上述被处理基板上的微影工序余量成为与上述实际必要之微影工序余量同等以上之大小。11.如申请专利范围第8项之曝光光罩之制作方法,其中作为上述曝光光罩之第一及第二规格値,使用关于上述曝光光罩之尺寸者、上述曝光光罩为相移光罩时系关于其穿透率或相位差者、关于上述曝光光罩之光罩缺陷者及关于上述曝光光罩之光罩图案的描绘误差者,或组合该等中之几个者。12.如申请专利范围第8项之曝光光罩之制作方法,其中计算出上述被处理基板上之微影工序余量的工序系计算出上述微影工序中对上述被处理基板上之尺寸变动容许値之余量。13.如申请专利范围第12项之曝光光罩之制作方法,其中作为上述微影工序中对上述被处理基板上之尺寸变动容许値之余量,计算出上述微影工序中之处理摆动余量。14.如申请专利范围第13项之曝光光罩之制造方法,其中作为上述微影工序中之处理摆动,使用焦点摆动及曝光量摆动中之至少一方。15.一种积体电路装置之制造方法,其特征为包含:对于设计积体电路之电路图案用之设计资料中之至少一部份之部份资料,计算出考虑转印上述电路图案时使用之曝光光罩之第一规格値之被处理基板上之微影工序余量之工序;比较上述计算出之微影工序余量与上述处理基板上实际有必要之微影工序余量之工序;当判断出上述计算出来之微影工序余量比上述实际必要之微影工序余量小时,变更上述第一规格値中使上述计算出来之微影工序余量比上述实际必要之微影工序余量小的规格値,使得上述被处理基板上之微影工序余量成为与上述实际必要之微影工序余量同等以上之大小之工序;使用上述变更之规格値来更新上述第一规格値,设定第二规格値之工序;将转印上述电路图案用之光罩图案依上述第二规格値形成于上述曝光光罩之工序;及使用依据上述工序形成有光罩图案之上述曝光光罩,于被处理基板上进行电路图案转印之微影工序。图式简单说明:图1系以流程图绘示出第一实施方式之积体电路图案设计方法之图。图2系绘示出占有曝光光罩规格値误差之微影工序模拟方法之图。图3(a)至(b)系绘示出设计电路变更前的积体电路设计图案及其依微影工序模拟所得之图像之图。图4(a)至(b)系绘示出设计电路变更后的积体电路设计图案及其依微影工序模拟所得之图像之图。图5系以流程图绘示出第二实施方式之曝光光罩制造方法之图。图6(a)至(b)系以图表绘示出第二实施方式之曝光光罩制造方法中依光罩图案之面内均匀性所实施之微影工序模拟结果之图。图7(a)至(b)系以图表绘示出第二实施方式之曝光光罩制造方法中依光罩图案之穿透率所实施之微影工序模拟结果之图。图8(a)至(b)系以图表绘示出第二实施方式之曝光光罩制造方法中依光罩图案之相位差所实施之微影工序模拟结果之图。图9系个别依主要变动因素所绘示出之微影工序中容许曝光量的变动趋势与曝光光罩之尺寸规格间之相关关系之图。 |
