| 主权项 |
1.一种具预焊锡结构之半导体封装基板制法,系包括:提供至少一表面形成有多数电性连接垫之封装基板;在该封装基板表面上形成有机绝缘保护层,并进行薄化该有机绝缘保护层之厚度,使该有机绝缘保护层显露出电性连接垫之上表面;于该封装基板表面上依序形成导电膜与阻层,并使该阻层形成有多数之开孔以显露出该电性连接垫表面之导电膜;以及进行电镀制程,以在该电性连接垫上沈积有焊锡材料。2.如申请专利范围第1项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,复包括俟完成电镀焊锡材料于该电性连接垫之外露表面后,移除该阻层及其所覆盖之导电膜。3.如申请专利范围第1项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该电镀完成之焊锡材料可为一导电柱形式。4.如申请专利范围第1项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该电镀完成之焊锡材料可藉由回焊(Reflow-Soldering)制程以形成预焊锡凸块。5.如申请专利范围第1项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该有机绝缘保护层可为拒焊剂层。6.如申请专利范围第1项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该阻层为乾膜及液态光阻之任一者。7.一种具预焊锡结构之半导体封装基板制法,系包括:提供至少一表面形成有多数电性连接垫与导电线路之封装基板;在该封装基板表面上形成有机绝缘保护层,并进行薄化该有机绝缘保护层之厚度,使该有机绝缘保护层显露出电性连接垫与导电线路之上表面;于该封装基板表面上依序形成导电膜与阻层,并使该阻层形成有多数之开孔以显露出该电性连接垫表面之导电膜;以及进行电镀制程,以在该电性连接垫上沈积有焊锡材料。8.如申请专利范围第7项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,复包括俟完成电镀焊锡材料于该电性连接垫之外露表面后,移除该阻层及其所覆盖之导电膜。9.如申请专利范围第7项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该导电线路上可于形成导电膜前,利用印刷、旋涂及贴合之任一方式涂覆一绝缘膜于该基板表面,再藉由图案化制程以使该绝缘膜覆盖住该导电线路表面。10.如申请专利范围第9项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该绝缘膜可为有机及无机之抗氧化膜之任一者。11.如申请专利范围第7项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该电镀完成之焊锡材料可为一导电柱形式。12.如申请专利范围第7项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该电镀完成之焊锡材料可藉由回焊(Reflow-Soldering)制程以形成预焊锡凸块。13.如申请专利范围第7项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该有机绝缘保护层可为拒焊剂层。14.如申请专利范围第7项之具预焊锡结构之半导体封装基板制法,其中,该阻层为乾膜及液态光阻之任一者。15.一种具预焊锡结构之半导体封装基板,系包括:一基板,其至少一表面形成有多数之电性连接垫;一有机绝缘保护层,系形成于该基板之表面,且该有机绝缘保护层仅显露出该电性连接垫上表面;以及一焊锡材料,系沈积于该电性连接垫上。16.如申请专利范围第15项之具预焊锡结构之半导体封装基板,其中,该基板表面复包含有多数之导电线路。17.如申请专利范围第16项之具预焊锡结构之半导体封装基板,其中,该导电线路表面可覆盖一绝缘膜。18.如申请专利范围第17项之具预焊锡结构之半导体封装基板,其中,该绝缘膜可为有机及无机之抗氧化膜之任一者。19.如申请专利范围第15项之具预焊锡结构之半导体封装基板,其中,该焊锡材料可为一导电柱形式。20.如申请专利范围第15项之具预焊锡结构之半导体封装基板,其中,该焊锡材料可为一焊锡凸块形式。21.如申请专利范围第15项之具预焊锡结构之半导体封装基板,其中,该有机绝缘保护层可为拒焊剂层。22.如申请专利范围第15项之具预焊锡结构之半导体封装基板,其中,该焊锡材料系以电镀方式沉积于该电性连接垫上。图式简单说明:第1A及1B图系显示一种习知覆晶元件之制程剖面示意图;第2图系显示习知具有绝缘保护层与预焊锡凸块之电路板剖面示意图;第3A至3K图系显示本发明之具预焊锡结构之半导体封装基板制法剖面示意图;第4A及4B图系显示应用本发明之方法在积体电路封装基板上接合半导体晶片之结构剖面示意图;第5A及5B图系显示应用本发明之方法在积体电路封装基板上接合具有金属凸块的半导体晶片之结构剖面示意图;第6A及6B图系显示应用本发明之方法在积体电路封装基板上同时接合形成覆晶焊锡接以及板对板之焊锡接之结构剖面示意图;以及第7图系显示应用本发明之方法形成覆晶构装之半导体封装件结构剖面示意图。 |
