| 主权项 |
1.一种半导体元件保护(passivating)方法,其中至少包含对该半导体元件进行以下步骤:一高压回火处理(high pressure annealing)步骤,用以修补该半导体元件内所产生之缺陷;以及一电浆处理(plasma treatment)步骤,用以去除该半导体元件内所产生之电荷。2.依申请专利范围第1项之半导体元件保护方法,其中该高压回火处理步骤至少包含:将该半导体元件置于一反应室(chamber)中;通入一反应气体于该反应室(chamber)中;以及加热该半导体元件直到足以产生保护为止。3.依申请专利范围第2项之半导体元件保护方法,其中该反应气体系为氮、氢、水、氨之其中一者或其泥合物。4.依申请专利范围第1项之半导体元件保护方法,其中该电浆处理步骤系为电子回旋共振法(ECR)或感应耦合电浆法(ICP)。5.依申请专利范围第1项之半导体元件保护方法,其中该电浆处理步骤所使用之一制程气体系为氮、氢、水、笑气、氧、氨之其中一者或其混合物。6.依申请专利范围第1项之半导体元件保护方法,其中该半导体元件为一含有多晶矽膜层之薄膜电晶体。7.依申请专利范围第1项之半导体元件保护方法,其中该半导体元件保护方法也可以在该半专体元件形成一保护层之前实施。8.一种半导体元件保护(passivating)方法,其中该方法至少包含以下步骤:对一半导体元件施行一高压回火处理步骤,用以修补该半导体元件内所产生之缺陷;形成一氮化物薄膜于该半导体元件之上;以及对该氮化物薄膜施行一加热处理步骤,用以去除该半导体元件内所产生之电荷。9.依申请专利范围第8项之半导体元件保护方法,其中该高压回火处理步骤至少包含:将该半导体元件置于一反应室中;通入一反应气体于该反应室中;以及加热该半导体元件直到足以产生保护为止。10.依申请专利范围第9项之半导体元件保护方法,其中该反应气体系为氮、氢、水、氨之其中一者或其混合物。11.依申请专利范围第8项之半导体元件保护方法,其中该加热处理步骤系为一炉管退火处理(furnaceannealing)或一快速退火处理(rapid thermal annealing)。12.依申请专利范围第8项之半导体元件保护方法,其中该半导体元件为一含有多晶矽膜层之薄膜电晶体。13.依申请专利范围第8项之半导体元件保护方法,其中该氮化物薄膜系为氮化矽(silicon nitride)薄膜或氮氧化矽(silicon oxide nitride)薄膜。图式简单说明:第1图至第4图:系根据本发明一实施例以剖示图图示半导体元件保护方法的主要步骤;第5图至第6图:系根据本发明一实施例以剖示图图示半导体元件制造方法的主要步骤;以及第7图:系为施加于闸极之电压与流经汲极之电流的关系图。 |
