| 主权项 |
1.一种包含一源极区域、一汲极区域与一通道区域的电晶体,各个区域皆由半导体膜所形成,并且包含一闸极绝缘膜以及一闸极电极,其中包含该源极区域的该半导体膜与包含该汲极区域的该半导体膜系分开地形成在一绝缘元件的两侧上,以及包含该通道区域的该半导体膜系形成于该绝缘元件上。2.如申请专利范围第1项的电晶体,其中该绝缘元件、包含该源极区域的该半导体膜、以及在该通道区域侧上包含该汲极区域的该半导体膜之诸端表面的位置是彼此实质等高。3.如申请专利范围第1或2项的电晶体,进一步包含:一第一绝缘层,该绝缘层包含该绝缘元件,并且将包含源极区域之半导体膜与包含汲极区域之半导体膜所形成的个别区域隔开;以及一第二绝缘层,堆叠于第一绝缘层上,该第二绝缘层将形成有包含通道区域之半导体膜的一区域隔开,其中该闸极绝缘膜系堆叠于该通道区域与第二绝缘层上。4.一种积体电路,包含如申请专利范围第1项之电晶体。5.一种积体电路,包含如申请专利范围第2项之电晶体。6.一种积体电路,包含如申请专利范围第3项之电晶体。7.一种电光装置,包括当作一切换元件的一电晶体以及由该电晶体所驱动的一电光层,该电晶体包含:一源极区域、一汲极区域与一通道区域,各个均由半导体膜形成,以及该电晶体还包括一闸极绝缘膜以及一闸极电极,其中包含该源极区域的该半导体膜与包含该汲极区域的该半导体膜系分开地形成于一绝缘元件两侧并且将一绝缘元件包夹,以及包含该通道区域的该半导体膜系形成于该绝缘元件上。8.一种包括一显示单元的电子设备,该显示单元包含如申请专利范围第7项之电光装置。9.一种制造包括一源极区域、一汲极区域与一通道区域之一电晶体的方法,各个区域皆由半导体膜形成,该电晶体还包括一闸极绝缘膜以及一闸极电极,该方法包含以下步骤:将包含该源极区域的该半导体膜与包含该汲极区域的该半导体膜分开地形成于一绝缘元件两侧并且将该绝缘元件包夹,以及将包含该通道区域的该半导体膜形成于该绝缘元件上。10.如申请专利范围第9项之制造电晶体的方法,其中将包含源极区域之半导体膜与包含汲极区域之半导体膜形成的步骤包含以下步骤:形成将一预定区域分隔的一第一绝缘层;以及将包含杂质的半导体材料放置于为第一绝缘层所分隔的区域中。11.如申请专利范围第10项之制造电晶体的方法,其中形成包含通道区域之半导体膜的步骤包含以下步骤:将隔开一预定区域的一第二绝缘层形成于第一绝缘层上;将半导体材料放置于由第二绝缘层所隔开的区域中;以及将闸极绝缘膜形成于包含该通道的半导体膜上。12.如申请专利范围第9至11项任一项所述之制造电晶体的方法,其中当包含源极区域的半导体膜、包含汲极区域的半导体膜、包含通道区域的半导体膜以及闸极电极之至少一形成时,一种将所形成材料以微滴形式排放的微滴排放方法则予以使用。图式简单说明:第1图系为一典型的截面图,其系显示根据本发明所设计之电晶体具体实施例的实例。第2A图至第2D图系为显示本发明电晶体之制造制程的图式。第3A图至第3C图系为显示本发明电晶体之制造制程的图式。第4A图至第4C图系为显示本发明电晶体制造制程的图式。第5A图至第5C图系为显示本发明电晶体制造制程的图式。第6图系为显示根据本发明所设计之电晶体具体实施例之另一实例的基板截面图。第7A图至第7C图系为显示本发明电晶体制造制程的图式。第8图系为显示像素区域阔大部分的平面图,其系形成于本发明液晶显示装置之主动阵列基板上的方块里。第9图系为一方块图,其显示包括在本发明电子设备中的液晶显示装置中。第10图系为一个人电脑的概要解释图,该个人电脑作为应用本发明液晶显示装置之电子设备的实例。第11图系为显示具有TCP(Transmition Control Potocal,传输控制协定)之液晶显示装置的概要解释图。 |
