| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,用以在半导体基板(10)上形成复数个闸极电极(30)与闸极绝缘膜(20)之组合体,并使该闸极电极与闸极绝缘膜的组合体平行排列、延伸;其特征为包括:沿着该复数个闸极电极(20)和闸极绝缘膜(20)以及该半导体基板(10)之各表面形成第1绝缘膜的步骤(1);以及在该第1绝缘膜(1)上形成与该第1绝缘膜不同之第2绝缘膜(2)的步骤;令该第1绝缘膜(1)的形成步骤和该第2绝缘膜(2)的形成步骤交替、反覆进行。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,该第1绝缘膜(1)的形成条件为:O3的浓度在0至3.0wt%;O3/TEOS的莫耳比在3.0以下;成膜温度为450℃至550℃;成膜压力为266至798hPa;以及载气为惰性气体。3.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,该第1绝缘膜(1)由USG所构成;该第2绝缘膜(2)为选自BPSG、PSG、BSG以及USG组群中之一种物质所构成。4.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,该第1绝缘膜(1)的膜厚,为相邻的两个上述闸极电极(30)之间的距离的3至5%。5.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,该第2绝缘膜(2)的形成条件为O3的浓度是8.0至17.0wt%;O3/TEOS的莫耳比为3.0至15.0;成膜温度为450℃至550℃;成膜压力为266至798hPa;由P和B中至少一方所构成之杂质总浓度为15wt%以下;以及载气为惰性气体。6.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,该第2绝缘膜(2)的膜厚为相邻两个上述闸极电极之间距的5至10%。7.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,上述第1绝缘膜(1)和第2绝缘膜(2)的形成步骤系反覆进行,一直到在相邻之2个上述闸极电极(30)之间的间隙中,在由上述第1绝缘膜(1)或第2绝缘膜(2)形成的凹部到达比上述闸极电极(30)的上表面更上侧处为止。8.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,该第2绝缘膜(2)系使用由流入处理室内的复数种气体所构成之反应气体堆积形成者;该第2绝缘膜(2)的堆积步骤后,上述复数种气体中至少一种气体会被停止供给至上述处理室,同时,为将上述处理室内压力保持在一定,而对处理室内导入与上述反应气体不同之气体,该气体不会对该第2绝缘膜(2)的堆积产生反应。9.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,该第2绝缘膜(2)系使用由流入处理室内的复数种气体所构成之反应气体堆积形成者;进行该第2绝缘膜(2)的堆积步骤后,上述复数种气体中至少一种气体会被停止供给至上述处理室,同时,为将上述处理室内的压力保持在一定,上述复数种气体中至少一种气体会持续流入上述处理室内。10.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,该第2绝缘膜(2)系使用由流入至处理室内的复数种气体所构成之反应气体堆积形成者;该第2绝缘膜(2)的堆积步骤后,上述复数种气体至少一种气体会利用排出管道排出上述处理室外,同时,为将上述处理室内之压力保持在一定,而对处理室内导入与上述反应气体不同之气体,该气体不会对该第2绝缘膜(2)的堆积产生反应。11.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,该第2绝缘膜(2)系使用流入至处理室内的复数种气体所构成之反应气体堆积形成者;进行该第2绝缘膜(2)的堆积步骤后,上述复数种气体中至少一种气体会利用排出管道排出上述处理室外,同时,为将上述处理室内之压力保持在一定,上述复数种气体中至少一种气体会持续流入上述处理室内。12.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,在反覆进行上述第1绝缘膜(1)和第2绝缘膜(2)的形成步骤后,在最后形成的第1绝缘膜(1)和第2绝缘膜(2)上,形成第3绝缘膜(N+1)。13.如申请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,其中,该第3绝缘膜(N+1)的形成条件为:成膜压力为266hPa以下;O3的浓度是8.0至17.0wt%;O3/TEOS的莫耳比为3.0至15.0;成膜温度为450℃至550℃;以及载气为惰性气体。14.如申请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,其中,该第3绝缘膜(N+1)的膜厚为1.5um以下。15.如申请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,其中,该第3绝缘膜(N+1)为USG膜。图式简单说明:第1图为用以说明实施状态的半导体装置的制造方法之示意图。第2图为用以说明实施状态的半导体装置的制造方法之示意图。第3图为用以说明实施状态的半导体装置的制造方法之示意图。第4图为用以说明实施状态的半导体装置的制造方法之示意图。 |
