| 主权项 |
1.一种可减少矽流失(Si Loss)之去除光阻(Photoresist)的方法,至少包括提供一矽基材,其中该矽基材系分为一第一部分和一第二部分;形成一光阻层覆盖住该矽基材的该第一部分,并暴露出该矽基材的该第二部分;进行一离子植入(Ion Implantation),其中在进行该离子植入后,该矽基材的该第二部分具有复数个悬浮键(Dangling Bonds):以及使用一气体配方产生一反应电浆(Plasma),来进行一灰化步骤,以去除该光阻层,其中该气体配方至少包括一混成气体、一含氟气体和一氧气,该混成气体更至少包括一氢气(H2)和一氮气(N2),该氢气于该混成气体中所占的体积比为约4%。2.如申请专利范围第1项所述之可减少矽流失之去除光阻的方法,其中该含氟气体至少包括:一四氟化碳(CF4)。3.如申请专利范围第2项所述之可减少矽流失之去除光阻的方法,其中该混成气体的流量为约200每分钟立方公分(Standard Cubic Centimeter Per Minute,sccm);该四氟化碳的流量为约30 sccm;该氧气的流量为约3500sccm。4.如申请专利范围第1项所述之可减少矽流失之去除光阻的方法,其中该混成气体的流量系介于约200sccm和约1000 sccm之间。5.如申请专利范围第1项所述之可减少矽流失之去除光阻的方法,其中在形成该光阻层之前,该矽基材的该第一部分上形成有一第一闸极结构,该矽基材的该第二部分上形成有一第二闸极结构,该第一闸极结构的侧壁(Sidewall)上形成有一第一间隙壁,该第二闸极结构的侧壁上形成有一第二间隙壁。6.如申请专利范围第1项所述之可减少矽流失之去除光阻的方法,其中该离子植入系一高能量/剂量的离子植入(High Dose Implant)。7.如申请专利范围第1项所述之可减少矽流失之去除光阻的方法,其中该离子植入系用以于该矽基材之该第二部分上形成一源极/汲极重掺杂区。图式简单说明:第1A图为绘示习知之进行源极与汲极重掺杂步骤的剖面示意图。第1B图为绘示习知之进行灰化步骤的剖面示意图。第2图为绘示进行习知之灰化步骤后产生矽流失的剖面示意图。第3图为绘示本发明之可减少矽流失之去除光阻的方法的流程图。 |
