| 主权项 |
1.一种复合基材材料,包含一绝缘的介电材料,一纤维补强材料及一导电材料,其中该导电材料包含碳奈米管。2.如申请专利范围第1项之复合基材材料,其中该绝缘的介电材料选自于由环气树脂类,聚醯亚胺类,四氟乙烯及液晶材料所组成之群。3.如申请专利范围第1项之复合基材材料,其中该纤维补强材料选自于由玻璃纤维、碳纤维、纸及芳香族聚醯胺纤维所组成之群。4.如申请专利范围第1项之复合基材材料,其中该碳奈米管之直径少于100奈米。5.如申请专利范围第4项之复合基材材料,其中该碳奈米管之直径少于10奈米。6.如申请专利范围第1项之复合基材材料,其中该碳奈米管由单壁碳奈米管所组成。7.如申请专利范围第1项之复合基材材料,其中该碳奈米管存在于该复合基材材料中的量约25至约75体积百分比。8.如申请专利范围第7项之复合基材材料,其中该碳奈米管存在于该复合基材材料中的量约40至约50体积百分比。9.如申请专利范围第1项之复合基材材料,其中在该复合基材材料中的碳奈米管至少有部分可选择性表现出不导电。10.如申请专利范围第9项之复合基材材料,其中该碳奈米管可使用雷射或光罩来使至少某些部分可选择性表现出不导电。11.如申请专利范围第1项之复合基材材料,其中该纤维补强材料及该导电材料二者皆包含碳奈米管。12.如申请专利范围第11项之复合基材材料,其中该碳奈米管存在于该复合基材材料中的量约80至约99体积百分比。13.如申请专利范围第9项之复合基材材料,其中在该复合基材材料之导电与不导电区域间的距离仅由电磁辐射来源的解析度所限制。14一种电子互连装置的制造方法,包括下列步骤:a)将一绝缘的介电材料,一纤维补强材料及一导电材料混合在一起以形成一复合基材材料,其中该导电材料包含碳奈米管;b)选择性将在该复合基材材料中的该导电材料曝露至电磁辐射,以让该等碳奈米管部分呈不导电。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该绝缘的介电材料选自于由环气树脂类,聚醯亚胺类,四氟乙烯及液晶材料所组成之群。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该纤维补强材料选自于由玻璃纤维,碳纤维,纸及芳香族聚醯胺纤维所组成之群。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该碳奈米管之直径少于100奈米。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该碳奈米管之直径少于10奈米。19.如申请专利范围第14项之方法,其中该碳奈米管由单壁碳奈米管所组成。20.如申请专利范围第14项之方法,其中该碳奈米管存在于该复合基材材料中的量约25至约75体积百分比。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该碳奈米管存在于该复合基材材料中的量约40至约50体积百分比。22.如申请专利范围第14项之方法,其中该碳奈米管可使用雷射或光罩而选择性表现出不导电。23.如申请专利范围第14项之方法,其中该纤维补强材料与该导电材料二者皆包含碳奈米管。24.如申请专利范围第23项之方法,其中该碳奈米管存在于该复合基材材料中的量约80至约99体积百分比。25.如申请专利范围第22项之方法,其中在该复合基材材料之导电与不导电区域间的距离仅由电磁辐射来源的解析度所限制。 |
