| 主权项 |
1.一种半导体装置,其在表面具备位置对准用标记, 该位置对准用标记包含高反射率部及平坦的低反 射率部; 其内部具备折射膜,折射膜形成有复数埋入部,将 与上述埋入部的周围不同的物质填充于上述埋入 部; 上述埋入部系形成于在将上述高反射率部投影于 上述折射膜时,避开上述高反射率部的影子部分的 区域的至少一部分内。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述 埋入部系形成为贯穿上述折射膜,在从形成有上述 高反射率部侧观看上述折射膜时,呈现规则的配置 。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述 折射膜系形成为2层以上。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,具有 熔线, 且在形成有上述熔线的区域周围,形成有上述位置 对准用标记。 5.一种半导体装置,其在表面具备位置对准用标记, 该位置对准用标记包含高反射率部及平坦的低反 射率部; 其内部具备具有凹凸的散反射膜; 上述凹凸系形成于在将上述高反射率部投影于上 述散反射膜时,避开上述高反射率部的影子部分的 区域的至少一部分内。 6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,上述 凹凸系重复且密集形成的一定形状的凸部。 7.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,上述 散反射膜系形成为2层以上。 8.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,具有 熔线, 且在形成有上述熔线的区域周围,形成有上述位置 对准用标记。 图式简单说明: 图1A及图1B为位置对准用标记的说明图。 图2为根据本发明之实施形态1的第1半导体装置的 剖面图。 图3为沿着图2中之Ⅲ-Ⅲ线所作的箭头剖面图。 图4为根据本发明之实施形态1的第2半导体装置的 剖面图。 图5为沿着图4中之Ⅴ-Ⅴ线所作的箭头剖面图。 图6为藉由雷射光进行扫描时所获得的反射波形的 概念图。 图7为根据本发明之实施形态2的半导体装置的剖 面图。 图8为沿着图7中之ⅩⅢ-ⅩⅢ线所作的箭头剖面图 。 图9A及图9B为根据本发明之实施形态2的第1矽基板 的说明图。 图10A及图10B为根据本发明之实施形态2的第2矽基 板的说明图。 图11为根据本发明之实施形态2的散反射膜的凸部 的放大剖面图。 图12为根据本发明之实施形态2的凸部的立体图。 图13A及图13B为根据本发明之实施形态2的散反射膜 的说明图。 图14-图16为根据本发明之实施形态2的第1制造方法 的步骤图。 图17-图20为根据本发明之实施形态2的第2制造方法 的步骤图。 |
