| 主权项 |
1.一种有机半导体元件,包含一个包括一第一电极 的第一结构部份、一个由具有半导体特性之有机 化合物制成的有机半导体层、及一个具有一第二 电极且经由该有机半导体层来与该第一结构部份 相对的第二结构部份;其中 该第二结构部份包括一个由具有抗蚀刻特性之材 料制成的光罩部份;及 该有机半导体层系在利用该光罩部份作为光罩时 藉着蚀刻来被形成成一图案。 2.如申请专利范围第1项所述之有机半导体元件,其 中,该光罩部份系作用如该第二电极。 3.如申请专利范围第1项所述之有机半导体元件,其 中,该防短路层系被设置在该第二电极与该第一电 极之间。 4.如申请专利范围第1项所述之有机半导体元件,其 中,该有机半导体层是为一个包括一具有电致发光 特性之发光层的有机功能层。 5.如申请专利范围第4项所述之有机半导体元件,其 中,该第二结构部份包括一个密封该有机功能层的 密封部份。 6.如申请专利范围第5项所述之有机半导体元件,其 中,该光罩部份系作用如该密封部份。 7.如申请专利范围第1项所述之有机半导体元件,其 中,该第一结构部份包括一个被定位远离该第一电 极的第三电极, 而且该第二结构部份包括一个设置在该有机半导 体层上的绝缘层。 8.如申请专利范围第7项所述之有机半导体元件,其 中,该光罩部份系作用如该绝缘层。 9.一种制造有机半导体元件的方法,该有机半导体 元件包括一个具有一第一电极的第一结构部份、 一个由具有半导体特性之有机化合物制成的有机 半导体层、及一个具有一第二电极且经由该有机 半导体层来与该第一结构部份相对的第二结构部 份,该方法包含: 形成该第一结构部份的第一结构部份形成过程; 形成该有机半导体层于该第一结构部份上的有机 半导体层形成过程; 形成该第二结构部份于该有机半导体层上的第二 结构部份形成过程,该第二结构部份形成过程包括 一个形成一由具有抗蚀刻特性之材料制成之光罩 部份的光罩部份形成过程;及 一个在使用该光罩部份作为光罩时蚀刻该有机半 导体层的蚀刻过程。 10.如申请专利范围第9项所述之制造有机半导体元 件之方法,其中,该光罩部份形成过程包括形成该 第二电极的第二电极形成过程。 11.如申请专利范围第9项所述之制造有机半导体元 件之方法,更包含一个在该第一结构部份形成过程 与该第二结构部份形成过程之间的防短路层形成 过程。 12.如申请专利范围第9项所述之制造有机半导体元 件之方法,其中,该有机半导体层形成过程包括一 个形成一包括一具有电致发光特性之发光层之有 机半导体层的过程。 13.如申请专利范围第12项所述之制造有机半导体 元件之方法,其中,该第二结构部份形成过程包括 一个形成一密封部份的密封部份形成过程。 14.如申请专利范围第13项所述之制造有机半导体 元件之方法,其中,该光罩部份形成过程包括该密 封部份形成过程。 15.如申请专利范围第9项所述之制造有机半导体元 件之方法,其中 该第一结构部份形成过程包括一个形成该第一电 极的第一电极形成过程及一个形成一第三电极在 一远离该第一电极之位置的第三电极形成过程;及 该第二结构部份形成过程包括一个形成一绝缘层 于该有机半导体层上的绝缘层形成过程。 16.如申请专利范围第15项所述之制造有机半导体 元件之方法,其中,该光罩部份形成过程包括该绝 缘层形成过程。 图式简单说明: 第1图是为一个显示本发明之有机半导体元件的横 截面图; 第2图是为一个显示本发明之有机半导体元件之变 化例子的横截面图; 第3图是为一个显示本发明之有机半导体元件之变 化例子的横截面图; 第4(a)-(e)图是为依序显示本发明之有机半导体元 件制造方法之过程的横截面图; 第5图是为一个显示在执行各向同性蚀刻时发生之 侧蚀刻的横截面图; 第6(a)-(e)图是为显示本发明之有机半导体元件制 造方法之变化例子的横截面图; 第7(a)-(f)图是为显示本发明之有机EL显示器面板制 造方法的横截面图; 第8(a)-(e)图是为显示本发明之全彩显示器面板制 造方法的横截面图; 第9(a)-(h)图是为显示本发明之全彩显示器面板制 造方法之变化例子的横截面图; 第10(a)-(e)图是为显示本发明之有机EL显示器面板 制造方法之变化例子的横截面图; 第11(a)-(f)图是为显示本发明之有机EL显示器面板 制造方法之变化例子的横截面图; 第12(a)-(e)图是为显示本发明之有机EL显示器面板 制造方法之过程的横截面图;及 第13(a)-(e)图是为显示本发明之有机TFT制造方法的 横截面图。 |
