| 主权项 |
1.一种半导体装置,是针对在结晶基板的表面上或 在形成于基板结晶上的结晶层之表面上,具备有单 体磷化硼或其混晶层,在该磷化硼或其混晶层上具 备欧姆电极而成的半导体装置,其特征为: 上述磷化硼或其混晶层系,底部由多结晶层所构成 ,其上部的表面部由单结晶层所构成,欧姆电极与 该单结晶层的表面接触; 形成上述磷化硼或其混晶层的表面部之单结晶层, 是由{111}结晶面所构成。 2.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,成为上述磷化硼或其混晶层的基底之上述基板或 形成在基板上之结晶层,系设其表面为{111}结晶面 之立方结晶闪锌矿结晶型结晶或钻石型结晶层。 3.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,成为上述磷化硼或其混晶层的基底之上述基板或 形成在基板上之结晶层,系设其表面为{0001}结晶面 之六方结晶纤维锌矿结晶型结晶层。 4.如申请专利范围第1项-第3项中任一项所记载之 半导体装置,其中,成为上述磷化硼或其混晶层的 基底之上述基板或形成在基板上之结晶层,系III族 氮化物半导体。 5.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,成为上述磷化硼或其混晶层的基底之上述基板或 形成在基板上之结晶层,系氮化镓铟混晶(组成式 GaxIn1-xN:0<X<1)、氮化铝镓(AlxGal-xN:0≦X≦1)、GaxIn1-x N(0<X<1)、氮化硼镓(BxGa1-xN:0≦X≦1),或者氮化磷铝 镓(AlxGal-x NYP1-Y:0≦X≦1,0<Y≦1)。 6.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,上述磷化硼或其混晶层之底部多结晶层或表面部 单结晶层之任一者,都由非掺杂磷化硼或其混晶层 所构成。 7.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,在上述磷化硼或其混晶层和上述欧姆电极的中间 ,部份地设置有由氧化物或氮化物所形成的绝缘性 中间层。 8.如申请专利范围第7项所记载之半导体装置,其中 ,上述中间层系由添加与磷或形成磷化硼之混晶的 磷不同的第V族元素之氧化物或氮化物的绝缘性层 所构成。 9.一种发光元件,其特征为: 由如申请专利范围第1项-第8项中任一项所记载之 半导体装置所形成。 10.如申请专利范围第9项所记载之发光元件,其中, 含当成发光层之III族氮化物层。 11.一种半导体装置之制造方法,是针对包含:在如 申请专利范围第1项-第8项中任一项所记载之半导 体装置,以及如申请专利范围第9项或第10项所记载 之发光元件的结晶基板的表面上,或者形成于基板 结晶上的结晶层之表面上,形成单体磷化硼或其混 晶层,在该磷化硼或其混晶层上配置欧姆电极之工 程的半导体装置之制造方法,其特征为: 在750℃以上1200℃以下之温度,将V/III比率当成第1 比率以气相沈积单体磷化硼或其混晶层的底部之 多结晶层后,在上述之温度范围,以超过第1V/III比 率而在2000以下的第2V/III比率,在多结晶层上气相 沈积单结晶层。 12.如申请专利范围第11项所记载之半导体装置之 制造方法,其中,以设表面为{111}结晶面之立方结晶 闪锌矿结晶型或钻石结晶型结晶为基板,或者以设 形成在具有上述结晶面之基板结晶上之表面为{111 }结晶面之结晶层为基底,以气相沈积由{111}结晶面 所构成之单体磷化硼(BP)层或其混晶层。 13.如申请专利范围第11项所记载之半导体装置之 制造方法,其中,以设表面为{0001}结晶面之六方结 晶纤维锌矿结晶型结晶为基板,或者以设形成在具 有上述结晶面之基板结晶上之表面为{0001}结晶面 之结晶层为基底,以气相沈积由{111}结晶面所构成 之单体磷化硼(BP)层或其混晶层。 14.如申请专利范围第11项-第13项中任一项所记载 之半导体装置之制造方法,其中,设置与形成底部 的多结晶层之上部的表面部的磷化硼(BP)或其混晶 的单结晶层接触之中间层后,在中间层的周边,形 成与由磷化硼或其混晶形成的单结晶层之表面接 触的欧姆性电极。 图式简单说明: 第1图系显示第1实施例之化合物半导体发光元件( LED)的剖面构造模型图。 |
