| 主权项 |
1.一种图案形成方法,其特征为包含: 于基板上形成感光性树脂膜之步骤; 使上述感光性树脂膜曝光之步骤; 将显影液供给上述感光性树脂膜,形成上述感光性 树脂膜之图案之步骤;及 藉由使活化之水接触上述图案,进行去除上述图案 表层之细微化处理之步骤。 2.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中作为 上述活化之水,使用超临界水或亚临界水。 3.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中上述 活化之水包含将光照射于水所产生之原子或分子 团。 4.如申请专利范围第3项之图案形成方法,其中上述 光包含250 nm以下之波长。 5.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中上述 活化之水包含将光照射于使气体分子溶解之水所 产生之原子团。 6.如申请专利范围第5项之图案形成方法,其中作为 上述气体分子选择过氧化氢时,上述光包含300 nm以 下之波长。 7.如申请专利范围第5项之图案形成方法,其中作为 上述气体分子选择氧或臭氧时,上述光包含250 nm以 下之波长。 8.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中上述 活化之水系使臭氧溶解于纯水之臭氧水,用上述臭 氧水将上述图案表面氧化5 nm以上。 9.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中在进 行上述细微化处理前,量测上述图案之尺寸,依量 测结果决定上述细微化处理之条件。 10.如申请专利范围第9项之图案形成方法,其中上 述图案尺寸之量测,系将测定光照射于上述基板之 测定区域,基于来自测定区域之衍射光强度,或衍 射光强度之波长分散,或衍射光之偏光资讯之波长 分散之任一进行。 11.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中上 述细微化处理后,藉由使上述活化之水接触上述图 案,进行1次以上去除上述图案表层之再细微化处 理。 12.如申请专利范围第11项之图案形成方法,其中在 上述再细微化处理前,量测上述图案之尺寸。 13.如申请专利范围第12项之图案形成方法,其中上 述图案尺寸之量测,系将测定光照射于上述基板之 测定区域,基于来自测定区域之衍射光强度,或衍 射光强度之波长分散,或衍射光之偏光资讯之波长 分散之任一进行。 14.如申请专利范围第13项之图案形成方法,其中基 于所量测之图案尺寸之量测结果决定再细微化处 理之条件。 15.如申请专利范围第13项之图案形成方法,其中在 所量测之图案尺寸成为所希望之尺寸之时点,停止 该再细微化处理。 16.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中与 上述细微化处理共同进行上述图案尺寸之量测,在 所量测之尺寸成为所希望之尺寸之时点,使该细微 化处理停止。 17.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中上 述图案形成后, 于供给有上述显影液之基板上供给洗净液,在上述 基板上残留洗净液之状态下,进行上述细微化处理 。 18.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中上 述图案形成后, 于供给有上述显影液之基板上供给洗净液,在上述 基板上去除洗净液之状态下,进行上述细微化处理 。 19.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中上 述细微化处理后包括: 将超临界状态之二氧化碳供给上述基板上,使上述 基板上之水溶解之步骤;及 使超临界状态之二氧化碳不经液体状态而成为气 体状态般地一面使压力、温度变化,一面使上述基 板乾燥之步骤。 20.如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中上 述细微化处理后包括: 一面变化压力、温度使上述活化之水不汽化,一面 使水成为超临界状态之步骤;及 一面变化压力、温度使超临界状态之水不经液体 状态即成为气体状态,一面使上述基板乾燥之步骤 。 21.一种图案形成方法,其特征为包含: 于基板上形成感光性树脂膜之步骤; 使上述感光性树脂膜曝光之步骤; 使活化之水接触上述感光性树脂膜而将上述感光 性树脂膜表层改性之步骤; 在上述表层改性过的感光性树脂膜上形成图案之 步骤;及 将显影液供给上述图案,去除上述图案表层之步骤 。 22.如申请专利范围第21项之图案形成方法,其中作 为上述活化之水,使用超临界水或亚临界水。 23.如申请专利范围第21项之图案形成方法,其中上 述活化之水包含将光照射于水所产生之原子或分 子团。 24.如申请专利范围第23项之图案形成方法,其中上 述光包含250 nm以下之波长。 25.如申请专利范围第21项之图案形成方法,其中上 述活化之水包含将光照射于使气体分子溶解之水 所产生之原子团。 26.如申请专利范围第25项之图案形成方法,其中作 为上述气体分子选择过氧化氢时,上述光包含300 nm 以下之波长。 27.如申请专利范围第25项之图案形成方法,其中作 为上述气体分子选择氧或臭氧时,上述光包含250 nm 以下之波长。 28.如申请专利范围第21项之图案形成方法,其中上 述活化之水系使臭氧溶解于纯水之臭氧水,用上述 臭氧水将上述图案表面氧化5 nm以上。 29.如申请专利范围第21项之图案形成方法,其中去 除上述图案表层之步骤后, 将上述活化之水接触上述图案而将上述图案表层 改性之再改性处理,及将显影液供给再改性之图案 而去除上述图案表层之再显影处理之一连串处理 进行1次以上。 30.如申请专利范围第29项之图案形成方法,其中在 上述再改性处理前,量测上述图案之尺寸。 31.如申请专利范围第30项之图案形成方法,其中基 于所量测之图案尺寸决定上述再改性处理与再显 影处理之条件。 32.如申请专利范围第30项之图案形成方法,其中上 述图案尺寸之量测,系将测定光照射于上述基板之 测定区域,基于来自测定区域之衍射光强度,或衍 射光强度之波长分散,或衍射光之偏光资讯之波长 分散之任一进行。 33.一种图案形成方法,其特征为包含: 于基板上形成感光性树脂膜之步骤; 使上述感光性树脂膜曝光之步骤; 使活化之水接触上述感光性树脂膜而将上述感光 性树脂膜表层改性之步骤;及 将显影液供给表层改性之上述感光性树脂膜,形成 上述感光性树脂膜图案之步骤。 34.如申请专利范围第33项之图案形成方法,其中作 为上述活化之水,使用超临界水或亚临界水。 35.如申请专利范围第33项之图案形成方法,其中上 述活化之水包含将光照射于水所产生之原子或分 子团。 36.如申请专利范围第35项之图案形成方法,其中上 述光包含250 nm以下之波长。 37.如申请专利范围第33项之图案形成方法,其中上 述活化之水包含将光照射于使气体分子溶解之水 所产生之原子团。 38.如申请专利范围第37项之图案形成方法,其中作 为上述气体分子选择过氧化氢时,上述光包含300 nm 以下之波长。 39.如申请专利范围第37项之图案形成方法,其中作 为上述气体分子选择氧或臭氧时,上述光包含250 nm 以下之波长。 40.如申请专利范围第33项之图案形成方法,其中上 述活化之水系使臭氧溶解于纯水之臭氧水,用上述 臭氧水将上述图案表面氧化5 nm以上。 41.一种基板处理装置,其特征为具备: 基板保持机构,其系将基板保持成大致水平者; 光照射部,其系包含相对配置于上述基板保持机构 之透明板,使上述透明板穿过而将光照射于上述基 板者;及 距离调整机构,其系于上述基板上形成液体膜时, 调整上述光照射部与上述基板之距离,使上述透明 板接触上述液体膜者。 42.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中更 具备移动机构,其系使上述光照射部与上述基板保 持机构相对地水平移动者。 43.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中上 述基板保持机构为与基板约同直径。 44.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中更 具备旋转机构,其系使保持于上述基板保持机构之 上述基板旋转者。 45.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中上 述距离调整机构调整上述基板上面与上述透明板 之距离,使照射光对上述透明板与上述基板间之液 体之透过率成为1%以上。 46.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中更 具备测定机构,其系测定上述基板与上述光照射部 之距离者, 上述距离调整机构基于上述测定机构之测定结果, 调整上述距离。 47.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中更 具备照度检测机构,其系检测从上述光照射部照射 之光之照度者。 48.如申请专利范围第47项之基板处理装置,其中所 检出之照度比基准値大时,上述距离调整机构使上 述基板与上述光照射部之距离比对应上述基准値 之距离大。 49.如申请专利范围第47项之基板处理装置,其中所 检出之照度比基准値小时,上述距离调整机构使上 述基板与上述光照射部之距离比对应上述基准値 之距离小。 50.如申请专利范围第42项之基板处理装置,其中更 具备照度检测机构,其系检测从上述光照射部照射 之光之照度者, 所检出之照度比基准値大时,上述移动机构使上述 光照射部与上述基板保持机构之相对移动速度比 对应上述基准値之移动速度快。 51.如申请专利范围第42项之基板处理装置,其中更 具备照度检测机构,其系检测从上述光照射部照射 之光之照度者, 所检出之照度比基准値小时,上述移动机构使上述 光照射部与上述基板保持机构之相对移动速度比 对应上述基准値之移动速度慢。 52.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中更 具备液体供给器,其系将上述液体供给上述基板上 ,以形成上述液体膜者。 53.如申请专利范围第42项之基板处理装置,其中更 具备液体供给器,其系将上述液体供给上述基板上 ,以形成上述液体膜者;及液体吸收器,其系吸收上 述基板上之上述液体者。 54.如申请专利范围第52项之基板处理装置,其中上 述距离调整机构系使上述基板上面与上述透明板 之间隔成为0.5mm以下。 55.如申请专利范围第52项之基板处理装置,其中上 述移动机构系使上述光照射部及上述液体供给器, 与上述基板保持机构相对地水平移动。 56.如申请专利范围第55项之基板处理装置,其中从 对上述基板保持机构之上述光照射部及液体供给 器之移动方向前方侧,依次排列上述液体供给器、 上述光照射部。 57.如申请专利范围第53项之基板处理装置,其中上 述移动机构系使上述光照射部、液体供给器及液 体吸收器,与上述基板保持机构相对地水平移动。 58.如申请专利范围第57项之基板处理装置,其中从 对上述基板保持机构之上述光照射部、液体供给 器及液体吸收器之移动方向前方侧,依次排列上述 液体供给器、上述光照射部、上述液体吸收器。 59.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中上 述光照射部具备复数光源;及照度调整机构,其系 调整各光源之照度者。 60.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中上 述光照射部系分配来自光源之光而照射于基板上 之复数区域。 61.如申请专利范围第42项之基板处理装置,其中对 上述水平移动方向正交方向之上述光照射部之照 射区域之宽度系与上述基板约同直径。 62.如申请专利范围第41项之基板处理装置,其中更 具备显影液供给器,其系对上述基板供给显影液者 。 63.一种基板处理装置,其特征为具备: 某板保持机构,其系将基板保持成大致水平者; 液体供给部,其系将液体供给上述基板上者; 光照射部,其系将光照射于供给上述基板前之液体 者;及 移动机构,其系使上述液体供给部及光照射部,与 上述基板保持机构相对地水平移动者。 64.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中具 备距离调整机构,其系调整上述液体供给部与上述 基板之距离者。 65.如申请专利范围第64项之基板处理装置,其中更 具备测定机构,其系测定上述基板与上述液体供给 部之距离者, 上述距离调整机构系基于上述测定机构之测定结 果调整上述距离。 66.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中上 述基板保持机构为与基板约同直径。 67.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中更 具备旋转机构,其系使保持于上述基板保持机构之 上述基板旋转者。 68.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中更 具备照度检测机构,其系检测从上述光照射部照射 之光之照度者。 69.如申请专利范围第68项之基板处理装置,其中所 检出之照度比基准値大时,上述距离调整机构使上 述基板与上述光照射部之距离比对应上述基准値 之距离大。 70.如申请专利范围第68项之基板处理装置,其中所 检出之照度比基准値小时,上述距离调整机构使上 述基板与上述光照射部之距离比对应上述基准値 之距离小。 71.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中更 具备照度检测机构,其系检测从上述光照射部照射 之光之照度者, 所检出之照度比基准値大时,上述移动机构使上述 光照射部与上述基板保持机构之相对移动速度比 对应上述基准値之移动速度快。 72.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中更 具备照度检测机构,其系检测从上述光照射部照射 之光之照度者, 所检出之照度比基准値小时,上述移动机构使上述 光照射部与上述基板保持机构之相对移动速度比 对应上述基准値之移动速度慢。 73.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中上 述光照射部具备复数光源;及照度调整机构,其系 调整各光源之照度者。 74.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中上 述光照射部系分配来自光源之光而照射于基板上 之复数区域。 75.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中对 上述水平移动方向正交方向之上述光照射部之照 射区域之宽度系与上述基板约同直径。 76.如申请专利范围第63项之基板处理装置,其中更 具备显影液供给器,其系对上述基板供给显影液者 。 77.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含: 于被处理基板之主面上形成树脂膜之步骤; 使上述被处理基板之主面接触含有照射紫外光而 产生OH基及/或O基之分子之气氛之步骤; 对上述被处理基板之主面照射上述紫外光之步骤; 以上述紫外光从上述分子产生OH基及/或O基之步骤 ; 使所产生之OH基及/或O基,与上述树脂膜反应,产生 反应生成物之步骤;及 上述紫外线照射时,将被处理基板冷却到所产生之 反应生成物不流动之温度之步骤。 78.如申请专利范围第77项之半导体装置之制造方 法,其中上述树脂膜系以一定之图案形成。 79.如申请专利范围第78项之半导体装置之制造方 法,其中更包含从上述被处理基板主面去除上述反 应生成物之步骤。 80.如申请专利范围第77项之半导体装置之制造方 法,其中上述分子系从氧及臭气之任一选择一种以 上者。 81.如申请专利范围第79项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物去除后,以上述树脂膜为 遮罩蚀刻上述被处理基板。 82.如申请专利范围第79项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物去除后,对被处理基板主 面照射紫外光或电子束。 83.如申请专利范围第79项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物之去除包含:对上述被处 理基板主面供给溶解上述反应生成物之溶液之步 骤;及从被处理基板主面去除上述溶液之步骤。 84.如申请专利范围第83项之半导体装置之制造方 法,其中上述溶液系水或过氧化氢水。 85.如申请专利范围第83项之半导体装置之制造方 法,其中更包括上述溶液去除后,使上述被处理基 板主面乾燥之步骤。 86.如申请专利范围第79项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物之去除系加热被处理基板 至上述反应生成物气化之温度而进行。 87.如申请专利范围第86项之半导体装置之制造方 法,其中上述被处理基板之加热温度系小于上述树 脂膜之热分解温度。 88.如申请专利范围第79项之半导体装置之制造方 法,其中进行复数次上述气氛之接触、上述OH基及/ 或O基之产生、上述反应生成物之产生、上述反应 生成物之去除之一连串处理。 89.如申请专利范围第77项之半导体装置之制造方 法,其中上述分子为蒸汽状态之液体,藉由上述气 氛之接触,使上述树脂膜表面吸附上述液体。 90.如申请专利范围第89项之半导体装置之制造方 法,其中更包含使上述树脂膜表面对上述液体之接 触角度增加之步骤。 91.如申请专利范围第89项之半专体装置之制造方 法,其中上述液体为水或过氧化氢。 92.如申请专利范围第77项之半导体装置之制造方 法,其中上述气氛之接触系在上述被处理基板主面 向下之状态进行。 93.一种半导体装置之制造方法,其特征为包括: 于被处理基板主面上形成树脂膜图案之步骤; 使上述被处理基板主面成为向下方之状态之步骤; 使上述被处理基板之主面接触含有照射紫外光而 产生OH基及/或O基之分子之气氛之步骤; 对上述被处理基板主面照射上述紫外光之步骤; 以上述紫外光从上述分子产生OH基及/或O基之步骤 ; 使所产生之OH基及/或O基,与上述树脂膜反应,产生 反应生成物之步骤;及 去除上述反应生成物之步骤。 94.如申请专利范围第93项之半导体装置之制造方 法,其中上述紫外光照射时,使上述反应生成物流 动化。 95.如申请专利范围第93项之半导体装置之制造方 法,其中上述紫外光照射时,冷却上述被处理基板 至所产生之反应生成物不流动之温度。 96.如申请专利范围第93项之半导体装置之制造方 法,其中上述分子系从氧及臭气之任一选择一种以 上者。 97.如申请专利范围第93项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物去除后,以上述树脂膜为 遮罩蚀刻上述被处理基板。 98.如申请专利范围第93项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物去除后,对被处理基板主 面照射紫外光或电子束。 99.如申请专利范围第93项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物之去除包含:对上述被处 理基板主面供给溶解上述反应生成物之溶液之步 骤;及从被处理基板主面去除上述溶液之步骤。 100.如申请专利范围第99项之半导体装置之制造方 法,其中上述溶液系水或过氧化氢水。 101.如申请专利范围第99项之半导体装置之制造方 法,其中更包括上述溶液去除后,使上述被处理基 板主面乾燥之步骤。 102.如申请专利范围第93项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物之去除系加热被处理基板 至上述反应生成物气化之温度而进行。 103.如申请专利范围第102项之半导体装置之制造方 法,其中上述被处理基板之加热温度系小于上述树 脂膜之热分解温度。 104.如申请专利范围第93项之半导体装置之制造方 法,其中进行复数次上述气氛之接触、上述OH基及/ 或O基之产生、上述反应生成物之产生、上述反应 生成物之去除之一连串处理。 105.如申请专利范围第93项之半导体装置之制造方 法,其中上述分子为蒸汽状态之液体,藉由上述气 氛之接触,使上述树脂膜表面吸附前述液体。 106.如申请专利范围第105项之半导体装置之制造方 法,其中更包含使上述树脂膜表面对上述液体之接 触角度增加之步骤。 107.如申请专利范围第105项之半导体装置之制造方 法,其中上述液体为水或过氧化氢。 108.一种半导体装置之制造方,其特征为包括: 于被处理基板主面上形成树脂膜图案之步骤; 使上述被处理基板之主面接触含有照射紫外光而 产生OH基及/或O基之分子之气氛之步骤; 对上述被处理基板主面照射上述紫外光之步骤; 以上述紫外光从上述分子产生OH基及/或O基之步骤 ; 使所产生之OH基及/或O基,与上述树脂膜反应,产生 反应生成物之步骤; 上述紫外光照射时,将上述树脂膜之温度以小于分 解温度之温度加热上述被处理基板,以便上述反应 生成物蒸发之步骤;及 上述紫外光照射后,去除上述反应生成物之步骤。 109.如申请专利范围第108项之半导体装置之制造方 法,其中上述被处理基板加热时,上述被处理基板 系置于小于大气压之压力下。 110.如申请专利范围第108项之半导体装置之制造方 法,其中上述分子系从氧及臭气之任一选择一种以 上者。 111.如申请专利范围第108项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物去除后,以上述树脂膜为 遮罩蚀刻上述被处理基板。 112.如申请专利范围第108项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物去除后,对被处理基板主 面照射紫外光或电子束。 113.如申请专利范围第108项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物之去除包含:对上述被处 理基板主面供给溶解上述反应生成物之溶液之步 骤;及从被处理基板主面去除上述溶液之步骤。 114.如申请专利范围第113项之半导体装置之制造方 法,其中上述溶液系水或过氧化氢水。 115.如申请专利范围第113项之半导体装置之制造方 法,其中更包括上述溶液去除后,使上述被处理基 板主面乾燥之步骤。 116.如申请专利范围第108项之半导体装置之制造方 法,其中上述反应生成物之去除系加热被处理基板 至上述反应生成物气化之温度而进行。 117.如申请专利范围第116项之半导体装置之制造方 法,其中上述被处理基板之加热温度系小于上述树 脂膜之热分解温度。 118.如申请专利范围第108项之半导体装置之制造方 法,其中上述气氛之接触系在上述被处理基板主面 向下之状态进行。 119.一种基板处理装置,其特征为具备: 室; 基板保持机构,其系设于上述室内,保持基板者; 控制上述基板温度之机构; 照射紫外光之机构,其系相对配置于保持在上述基 板保持机构之基板主面者; 气体供给机构,其系连接于上述室,于上述基板主 面与照射机构间之空间,将含有以照射上述紫外线 产生OH基及/或O基之分子之气体供给上述室内者; 气体排气机构,其系将上述室内排气者;及 浓度控制机构,其系控制由上述气体供给机构供给 之气体所含之上述分子之浓度者。 120.如申请专利范围第119项之基板处理装置,其中 上述基板保持机构系使上述基板主面向下方而保 持。 121.如申请专利范围第119项之基板处理装置,其中 更具备使上述光照射机构对上述基板相对地扫描 之机构。 122.如申请专利范围第119项之基板处理装置,其中 上述气体供给机构具有储存含上述分子之液体之 起泡器。 123.如申请专利范围第119项之基板处理装置,其中 具备清洗机构,其系将液体供给上述基板主面而清 洗上述基板主面者。 124.如申请专利范围第123项之基板处理装置,其中 具备乾燥机构,其系使附着于上述基板主面之液体 乾燥者。 图式简单说明: 图1系第1实施形态有关之图案形成方法之处理顺 序流程图。 图2系实现第1实施形态有关之图案形成方法用之 处理装置结构图。 图3系水相图。 图4系二氧化碳之相图。 图5系第2实施形态有关之图案形成方法之处理顺 序流程图。 图6系进行第2实施形态有关之图案形成方法之基 板处理装置之示意结构图。 图7A、7B系第2实施形态有关之基板处理装置之光 照射部示意结构图。 图8A、8B系光照射部、移动机构、及间隙调整机构 示意结构图。 图9A、9B系第2实施形态有关之图案形成方法图。 图10A、10B系第2实施形态有关之图案形成方法图。 图11A、11B系第2实施形态有关之图案形成方法图。 图12系第2实施形态有关之图案形成方法图。 图13系第2实施形态有关之图案形成方法图。 图14系172 nm光之水液厚度与穿透率之关系图。 图15系光照射部之示意结构图。 图16系光照射部之示意结构图。 图17A、17B系光照射部之示意结构图。 图18系光照射部之示意结构图。 图19系光照射部之示意结构图。 图20系光照射部之示意结构图。 图21系光照射部之示意结构图。 图22系光照射部之示意结构图。 图23系基板处理装置之示意结构图。 图24系第3实施形态有关之图案形成方法之处理顺 序流程图。 图25A、25B系先前之显像法之显像课程模式图。 图26A、26B系第3实施形态有关之前处理之作用、效 果说明图。 图27A-27C系第3实施形态有关之改质处理之作用、 效果说明图。 图28系第4实施形态有关之图案形成方法用之处理 装置结构图。 图29A-29D系第4实施形态有关之半导体装置之制造 方法剖面图。 图30系第4实施形态有关之基板处理装置之结构图 。 图31A、31B系图30所示基板处理装置之照射部结构 图。 图32系水之吸收系数之波长依赖性特性图。 图33系薄膜处理时之基板处理装置之照射部移动 状态图。 图34系氧及臭氧之波长依赖性特性图。 图35系第5实施形态有关之基板处理装置之示意结 构图。 图36A-36C系第5实施形态有关之半导体装置之制造 方法剖面图。 图37系薄膜处理时之基板处理装置之照射部移动 状态图。 图38系过氧化氢水之吸收系数波长依赖性特性图 。 图39系第6实施形态有关之基板处理装置之结构图 。 图40A-40C系第6实施形态有关之半导体装置之制造 方法剖面图。 图41A-41D系第7实施形态有关之半导体装置之制造 方法剖面图。 |
