| 主权项 |
1.一种输出讯号驱动装置,系与一反相装置电性连 接,该反相装置接收一第一讯号并输出一第一反相 讯号,该输出讯号驱动装置接收该第一反相讯号并 输出一第二讯号,该输出讯号驱动装置包括: 一第一N型金氧半导体(NMOS电晶体),该第一NMOS电晶 体之汲极系偏压于一第一电压,该第一NMOS电晶体 之闸极系接收一控制讯号,该控制讯号系与该第一 讯号同相;以及 一第二NMOS电晶体,该第二NMOS电晶体之闸极系接收 该第一反相讯号,该第二NMOS电晶体之源极系偏压 于一第二电压,该第二电压系小于该第一电压,该 第一NMOS电晶体之源极系与该第二NMOS电晶体之汲 极耦接,并输出该第二讯号,该第二讯号系与该第 一讯号同相; 其中,该第一讯号之第一高位准系大于该第二讯号 之第二高位准。 2.如申请专利范围第1项所述之输出讯号驱动装置, 其中该控制讯号系为该第一讯号。 3.如申请专利范围第1项所述之输出讯号驱动装置, 其中该输出讯号驱动装置更包括一P型金氧半导体 (PMOS电晶体),该PMOS电晶体之源极系与该第一NMOS电 晶体之汲极耦接,该PMOS电晶体之闸极系与该第二 NMOS电晶体之闸极耦接,该PMOS电晶体之汲极系与该 第一NMOS电晶体之源极耦接。 4.如申请专利范围第3项所述之输出讯号驱动装置, 其中该控制讯号系为该第一讯号。 5.如申请专利范围第3项所述之输出讯号驱动装置, 其中该输出讯号驱动装置更包括一位准平移(Level shifter),该位准平移器系接收一第三讯号并放大该 第三讯号之位准,以输出该控制讯号至该第一NMOS 电晶体之闸极,该第三讯号系与该第一讯号同相。 6.如申请专利范围第5项所述之输出讯号驱动装置, 其中该第三讯号系为该第一讯号。 7.一种讯号传输系统,包括: 一讯号输出单元,用以接收一第一讯号及输出一第 二讯号,该讯号输出单元包括: 一反相装置,接收该第一讯号及输出一第一反相讯 号;及 一输出讯号驱动装置,用以接收该第一反相讯号及 输出该第二讯号,该输出讯号驱动装置包括: 一第一NMOS电晶体,该第一NMOS电晶体之汲极系偏压 于一第一电压,该第一NMOS电晶体之闸极系接收于 一控制讯号,该控制讯号系与该第一讯号同相;及 一第二NMOS电晶体,该第二NMOS电晶体之闸极系接收 该第一反相讯号,该第二NMOS电晶体之源极系偏压 于一第二电压,该第二电压系小于该第一电压,该 第一NMOS电晶体之源极系与该第二NMOS电晶体之汲 极耦接,并输出一第二讯号,该第二讯号系与该第 一讯号同相;以及 一讯号接收单元,系用以接收该第二讯号,并据以 输出一第三讯号,该第三讯号之第三高位率与该第 一讯号之第一高位准系实质上相同; 其中,该第一讯号之第一高位准系大于该第二讯号 之第二高位准。 8.如申请专利范围第7项所述之讯号传输系统,其中 该反相装置包括N个CMOS反相器,其中N系为奇数。 9.如申请专利范围第7项所述之讯号传输系统,其中 该控制讯号系为该第一讯号。 10.如申请专利范围第7项所述之讯号传输系统,其 中该输出讯号驱动装置更包括一PMOS电晶体,该PMOS 电晶体之源极系与该第一NMOS电晶体之汲极耦接, 该PMOS电晶体之闸极系与该第二NMOS电晶体之闸极 耦接,该PMOS电晶体之汲极系与该第一NMOS电晶体之 源极耦接。 11.如申请专利范围第10项所述之讯号传输系统,其 中该输出讯号驱动装置更包括一位准平移器,该位 准平移器系接收一第四讯号并放大该第四讯号之 位准,以输出该控制讯号至该第一NMOS电晶体之闸 极,该第四讯号系与该第一讯号同相。 12.如申请专利范围第11项所述之讯号传输系统,其 中该第四讯号系为该第一讯号。 13.如申请专利范围第7项所述之讯号传输系统,其 中该讯号输出单元系为一时脉控制器(Timing controller),该时脉控制器系应用于一液晶显示面板 。 14.如申请专利范围第13项所述之讯号传输系统,其 中该讯号接收单元系为一资料驱动器(data driver), 该资料驱动器系应用于该液晶显示面板。 15.如申请专利范围第13项所述之讯号传输系统,其 中该讯号接收单元系为一扫描驱动器(scan driver), 该扫描驱动器系应用于该液晶显示面板。 16.一种讯号传输方法,系用于一输出讯号驱动装置 ,该输出讯号驱动装置系与一反相装置电性连接, 该反相装置接收一第一讯号并输出一第一反相讯 号,该输出讯号驱动装置接收该第一反相讯号后输 出一第二讯号,该输出讯号驱动装置包括一第一 NMOS电晶体及一第二NMOS电晶体,该第一NMOS电晶体之 源极与该第二NMOS电晶体之汲极耦接并用以输出该 第二讯号,该第一NMOS电晶体之汲极系偏压于一第 一电压,该第一NMOS电晶体之闸极接收一控制讯号, 该控制讯号系与该第一讯号同相,该第二NMOS电晶 体之源极系偏压于一第二电压,该第二电压系小于 该第一电压,该第二NMOS电晶体之闸极用以接收该 第一反相讯号,该方法包括: 当该第一讯号为一第一低位准时,该控制讯号为一 控制讯号低位准,该第二NMOS电晶体导通,该第一NMOS 电晶体截止;以及 当该第一讯号为一第一高位准时,该控制讯号为一 控制讯号高位准,该第二NMOS电晶体截止,该第一NMOS 电晶体导通并输出与该第一讯号同相之该第二讯 号,其中该控制讯号高位准系大于该第二讯号之第 二高位准及该第一NMOS电晶体之临限电压之和; 其中,该第一讯号之第一高位准系大于该第二讯号 之第二高位准。 17.如申请专利范围第16项所述之讯号传输方法,其 中该控制讯号系为该第一讯号。 18.如申请专利范围第16项所述之讯号传输方法,更 包括接收该第一反相讯号至一PMOS电晶体之闸极, 该PMOS电晶体之汲极系输出该第二讯号,该PMOS电晶 体之源极系偏压于该第一电压。 19.如申请专利范围第18项所述之讯号传输方法,更 包括接收一第三讯号至一位准平移器并放大该第 三讯号之位准,以输出该控制讯号至该第一NMOS电 晶体之闸极。 20.如申请专利范围第19项所述之讯号传输方法,其 中该第三讯号系为该第一讯号。 图式简单说明: 第1图绘示系为传统讯号传输系统之架构图。 第2图绘示系为传统讯号传输系统之电路图。 第3图绘示系为依照本发明之一第一实施例的讯号 传输系统之架构图。 第4图绘示系为依照本发明之一第二实施例的讯号 传输系统之架构图。 第5图绘示系为依照本发明之一第三实施例的讯号 传输系统之架构图。 第6图绘示系为依照本发明之一第四实施例的讯号 传输系统之架构图。 第7图绘示系为依照本发明之一第五实施例的讯号 传输系统之架构图。 第8图绘示系为依照本发明之一第六实施例的讯号 传输系统之架构图。 第9图绘示系为传统讯号传输系统与第三实施例之 模拟结果图。 第10图绘示系为反相装置之另一例。 第11图绘示系表示本发明之讯号传输系统应用于 液晶显示面板之示意图。 |
