发明名称 光电转换装置及其制造方法
摘要 本发明之图像读取装置(10)具备在资讯读取面之背面形成多数光电转换元件(2)之光电转换元件形成基板(4)及与光电转换元件形成基板(4)之多数光电转换元件(2)对向而以黏接树脂(5)贴合成一体化之支持基板(1)。藉此,提供可消除贴合作为保护基板之微玻璃板之制程,并消除安装部分向原稿图像之摄影面突出之光电转换装置及其制造方法。
申请公布号 TWI238527 申请公布日期 2005.08.21
申请号 TW092119828 申请日期 2003.07.21
申请人 夏普股份有限公司 发明人 和泉良弘
分类号 H01L27/146;H04N5/335 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种光电转换装置,其特征在于具备: 光电转换元件形成基板,其系在资讯读取面之背面 之光电转换元件形成面形成多数光电转换元件者; 及 支持基板,其系与上述光电转换元件形成基板之多 数光电转换元件对向而以黏接构件贴合成一体化 者;且 在将上述光电转换元件形成基板与上述支持基板 一体化后,施行蚀刻或研磨加工以使上述光电转换 元件形成基板之资讯读取面之厚度变薄。 2.如申请专利范围第1项之光电转换装置,其中前述 支持基板比前述光电转换元件形成基板厚。 3.如申请专利范围第1项之光电转换装置,其中在前 述光电转换元件形成基板之周边部之资讯读取面 之背面安装驱动前述多数光电转换元件所需之半 导体积体电路(IC)。 4.如申请专利范围第1项之光电转换装置,其中在前 述光电转换元件形成基板之周边部之资讯读取面 之背面安装驱动前述多数光电转换元件所需之TCP 及/或FPC。 5.如申请专利范围第1项之光电转换装置,其中前述 多数光电转换元件包含半导体层,透光部存在于前 述光电转换元件形成基板与前述半导体层之间。 6.如申请专利范围第1项之光电转换装置,其中在前 述光电转换元件形成基板之资讯读取面设有将X射 线转换成光之X射线光转换膜。 7.如申请专利范围第1项之光电转换装置,其中于前 述光电转换元件形成基板与前述支持基板之间具 有显示媒体; 并在上述光电转换元件形成基板之光电转换元件 形成面具有用作驱动上述显示媒体之主动元件。 8.一种光电转换装置,其特征在于具备: 光电转换元件形成基板,其系在资讯读取面之背面 之光电转换元件形成面形成多数光电转换元件者; 及 支持基板,其系与上述光电转换元件形成基板之多 数光电转换元件对向而以黏接构件贴合成一体化 者;且 于前述光电转换元件形成基板与前述支持基板之 间具有显示媒体; 并在上述光电转换元件形成基板之光电转换元件 形成面具有用作驱动上述显示媒体之主动元件。 9.如申请专利范围第8项之光电转换装置,其中在前 述光电转换元件形成基板之周边部之资讯读取面 之背面安装驱动前述多数光电转换元件所需之半 导体积体电路(IC)。 10.如申请专利范围第8项之光电转换装置,其中在 前述光电转换元件形成基板之周边部之资讯读取 面之背面安装驱动前述多数光电转换元件所需之 TCP及/或FPC。 11.如申请专利范围第8项之光电转换装置,其中前 述多数光电转换元件包含半导体层,透光部存在于 前述光电转换元件形成基板与前述半导体层之间 。 12.如申请专利范围第8项之光电转换装置,其中在 前述光电转换元件形成基板之资讯读取面设有将X 射线转换成光之X射线光转换膜。 13.如申请专利范围第8项之光电转换装置,其中前 述支持基板比前述光电转换元件形成基板厚。 14.如申请专利范围第7项之光电转换装置,其中前 述显示媒体系液晶。 15.如申请专利范围第8项之光电转换装置,其中前 述显示媒体系液晶。 16.如申请专利范围第14项之光电转换装置,其中为 前述显示媒体之液晶之显示模式系不要偏光器之 显示模式。 17.如申请专利范围第15项之光电转换装置,其中为 前述显示媒体之液晶之显示模式系不要偏光器之 显示模式。 18.如申请专利范围第14项之光电转换装置,其中在 前述支持基板之与光电转换元件形成基板相反侧 具有光源; 且上述光源兼用于资讯读取时之被摄体照射光源 与资讯显示时之显示用光源之两用途。 19.如申请专利范围第15项之光电转换装置,其中在 前述支持基板之与光电转换元件形成基板相反侧 具有光源; 且上述光源兼用于资讯读取时之被摄体照射光源 与资讯显示时之显示用光源之两用途。 20.如申请专利范围第7项之光电转换装置,其中前 述显示媒体系EL元件。 21.如申请专利范围第8项之光电转换装置,其中前 述显示媒体系EL元件。 22.如申请专利范围第20项之光电转换装置,其中前 述EL元件兼用于资讯读取时之被摄体照射光源与 资讯显示时之发光元件之两用途。 23.如申请专利范围第21项之光电转换装置,其中前 述EL元件兼用于资讯读取时之被摄体照射光源与 资讯显示时之发光元件之两用途。 24.一种光电转换装置之制造方法,该光电转换装置 系读取资讯者,其特征在于包含: 安装工序,其系在第1基板之资讯读取面之背面安 装多数光电转换元件及驱动该多数光电转换元件 所需之半导体积体电路(IC)者; 贴合工序,其系以覆盖安装在上述第1基板之资讯 读取面之背面之该多数光电转换元件之方式,使用 黏接构件贴合第2基板者;及 加工工序,其系蚀刻或研磨上述第1基板之资讯读 取面,以将上述第1基板之厚度薄地加工者。 25.一种光电转换装置之制造方法,该光电转换装置 系读取资讯者,其特征在于包含: 安装工序,其系在第1基板之资讯读取面之背面安 装多数光电转换元件及驱动该多数光电转换元件 所需之TCP及/或FPC者; 贴合工序,其系以覆盖安装在上述第1基板之资讯 读取面之背面之该多数光电转换元件之方式,使用 黏接构件贴合第2基板者;及 加工工序,其系蚀刻或研磨上述第1基板之资讯读 取面,以将上述第1基板之厚度薄地加工者。 26.如申请专利范围第24项之光电转换装置之制造 方法,其中前述第1基板包含玻璃材料,前述加工工 序之第1基板之研磨工序系化学研磨加工。 27.如申请专利范围第25项之光电转换装置之制造 方法,其中前述第1基板包含玻璃材料,前述加工工 序之第1基板之研磨工序系化学研磨加工。 图式简单说明: 图1系表示本发明之图像读取装置之一实施形态之 剖面图。 图2(a)系表示在上述图像读取装置中,于玻璃基板( 第1基板)上形成开关元件及光电转换元件之阵列 之工序之剖面图,图2(b)系表示以黏接剂贴附对向 支持基板(第2基板)之工序之剖面图,图2(c)系表示 蚀刻玻璃基板(第1基板)而加工成微玻璃板保护膜 之工序之剖面图,图2(d)系表示安装光源以读取原 稿之状态之剖面图。 图3系表示上述光电转换元件安装于第1基板之状 态之剖面图。 图4系表示顶闸构造之TFT构成之光电转换元件之剖 面图。 图5系表示本发明之图像读取装置之另一实施形态 之剖面图。 图6(a)系表示在上述图像读取装置中,于玻璃基板( 第1基板)上形成开关元件及光电转换元件之阵列, 再于基板之端部安装IC之工序之剖面图,图6(b)系表 示以黏接剂贴附对向支持基板(第2基板)之工序之 剖面图,图6(c)系表示蚀刻玻璃基板(第1基板)而加 工成微玻璃板保护膜之工序之剖面图,图6(d)系表 示安装光源之工序之剖面图。 图7(a)系表示本发明之图像读取装置之另一实施形 态,表示在上述图像读取装置中,于玻璃基板(第1基 板)上形成开关元件及光电转换元件之阵列,再于 基板之端部安装TCP及/或FPC之工序之剖面图,图7(b) 系表示以黏接剂贴附对向支持基板(第2基板)之工 序之剖面图,图7(c)系表示回蚀玻璃基板(第1基板) 而加工成微玻璃板保护膜之工序之剖面图,图7(d) 系表示安装光源之工序即完成品之剖面图。 图8系表示本发明之图像读取装置之又另一实施形 态,表示以1个TFT兼用作为当作光电转换元件之光 电电晶体与当作开关元件之电晶体之型式之图像 读取装置之平面图。 图9系表示本发明之图像读取装置之又另一实施形 态,表示使用作为间接转换方式之X射线摄影装置 之情形之图像读取装置之构成之剖面图。 图10系表示本发明之图像读取装置之又另一实施 形态,表示具有液晶之显示机能之图像读取装置之 构成之剖面图。 图11系表示上述图像读取装置之变形例之构成,表 示与第2基板个别独立地形成彩色滤光器(CF)基板 之图像读取装置之构成之剖面图。 图12系表示上述图像读取装置之另一变形例之构 成,表示采用不需要偏光器之显示模式之图像读取 装置之构成之剖面图。 图13系表示本发明之图像读取装置之又另一实施 形态,表示具有EL元件之显示机能之图像读取装置 之构成之剖面图。 图14系表示以往之图像读取装置之构成之平面图 。 图15系表示上述图像读取装置之构成之剖面图。
地址 日本