| 主权项 |
1.一种光电变换量检测方法,其系检测包含具有感 光性半导体层之薄膜电晶体之光电变换元件之光 电变换量者;且包含: 将特定量之电荷充电至连接于上述薄膜电晶体之 汲极之辅助电容之工序; 在对上述辅助电容之特定量之电荷充电完毕后,使 上述薄膜电晶体成为非导通状态,而对上述感光性 半导体层照射光线特定时间之工序;及 在对上述感光性半导体层照射光线特定时间后,依 据上述辅助电容之电荷,检测上述光电变换元件之 光电变换量之工序者。 2.如申请专利范围第1项之光电变换量检测方法,其 中在对上述辅助电容充电特定量之电荷之前,将该 辅助电容内之全部电荷放电者。 3.如申请专利范围第1项之光电变换量检测方法,其 中对上述辅助电容之特定量之电荷充电系利用驱 动上述薄膜电晶体之闸极之闸极驱动电压者。 4.如申请专利范围第1项之光电变换量检测方法,其 中对上述辅助电容之特定量之电荷充电,系利用将 电压施加至构成该辅助电容之电极中,与连接于上 述薄月莫电晶体之汲极之电极相反侧之电极之方 式施行者。 5.如申请专利范围第1项之光电变换量检测方法,其 中对上述辅助电容之特定量之电荷充电系藉由将 电压施加至上述薄膜电晶体之源极之方式施行者 。 6.如申请专利范围第1项之光电变换量检测方法,其 中在上述薄膜电晶体之非导通状态时,消除因光之 照射而由该薄膜电晶体之源极放出之电荷者。 7.如申请专利范围第1项之光电变换量检测方法,其 中在检测上述光电变换元件之光电变换量之期间, 停止对上述薄膜电晶体之光照射者。 8.一种光电变换装置,其特征在于包含: 光电变换元件,其系包含具有感光性半导体层之薄 膜电晶体;与连接于上述薄膜电晶体之汲极之辅助 电容者;及 光电变换量检测手段,其系连接于上述薄膜电晶体 之源极,用于检测上述光电变换元件之光电变换量 者; 将特定量之电荷充电至上述辅助电容,并在上述薄 膜电晶体成为非导通状态时,藉由对上述感光性半 导体层之光照射将电荷放电; 上述光电变换量检测手段系依据对上述感光性半 导体层之光照射完毕后之上述辅助电容之电荷,检 测上述光电变换元件之光电变换量者。 9.如申请专利范围第8项之光电变换装置,其中上述 光电变换量检测手段系包含放大由辅助电容转送 来之电荷之放大电路者。 10.一种图像输入方法,其特征在于:输入包含具有 感光性半导体层之薄膜电晶体之光电变换元件所 变换之来自原稿图像之反射光所产生之光电流,以 作为图像资讯者;且包含; 将特定量之电荷充电至连接于上述薄膜电品体之 汲极之辅助电容之工序; 在对上述辅助电容之特定量之电荷充电完毕后,使 上述薄膜电品体成为非导通状态,而对上述感光性 半导体层照射光线特定时间之工序; 在对上述感光性半导体层照射光线特定时间后,依 据上述辅助电容之电荷,检测上述光电变换元件之 光电变换量,输入此检测结果作为图像资讯之工序 者。 11.一种图像输入装置,其特征在于包含:如申请专 利范围第8项之光电变换装置,其系对应于原稿图 像配置多数个者;及 图像资讯输出手段,其系输出各光电变换装置所检 测之光电变换元件之光电变换量,以作为原稿图像 之输入图像资讯者。 12.如申请专利范围第11项之图像输入装置,其中包 含光照射手段,其系对原稿图像,分别照射红色光 、绿色光、蓝色光者; 上述图像资讯输出手段,系由对应于光照射手段之 各色之照射光所检测之光电变换元件之光电变换 量,输出输入图像资讯,以作为彩色图像者。 13.如申请专利范围第11项之图像输入装置,其中将 上述光电变换装置配置成1维状态者。 14.如申请专利范围第11项之图像输入装置,其中将 上述光电变换装置配置成2维状态者。 15.一种2维图像感测器,其特征在于包含: 多数资料线; 与上述资料线交叉之多数扫描线; 光电变换元件,包含分别设于上述资料线及扫描线 之交点而包含感光性半导体层之薄膜电晶体、及 连接于上述薄膜电晶体之汲极并有电荷充电之辅 助电容者; 光电变换量检测手段,其系连接于上述薄膜电晶体 之源极,以检测上述薄膜电晶体之光电变换量者; 及 图像资讯输出手段,其系输出上述光电变换量检测 手段所检测之结果,以作为图像资讯者; 上述辅助电容系被充电特定量之电荷,并在上述薄 膜电晶体成为非导通状态时,对上述感光性半导体 层之光照射而放出电荷; 上述光电变换量检测手段,系依据对上述感光性半 导体层之光照射完毕后之上述辅助电容之电荷,检 测上述光电变换元件之光电变换量者。 16.如申请专利范围第15项之2维图像感测器,其中将 上述资料线、扫描线、薄膜电晶体、辅助电容形 成于透明基板上者。 17.如申请专利范围第16项之2维图像感测器,其中在 上述透明基板之上述薄膜电晶体之形成面侧之表 面形成透明之保护层者。 18.如申请专利范围第16项之2维图像感测器,其中在 与上述透明基板之上述薄膜电晶体之形成面相反 侧之面,设置光照射手段,将光照射于配置于上述 薄膜电晶体之形成面,将来自该被照射物之反射光 照射于上述薄膜电晶体者。 19.如申请专利范围第15项之2维图像感测器,其中包 含控制上述光照射手段之光照射之光照射控制手 段; 上述光照射控制手段系在上述辅助电容被充电特 定量之电荷后,以施行一定时间之光照射之方式控 制上述光照射手段; 上述光电变换量检测手段系在上述光照射手段施 行一定时间之光照射后,在停止其光照射之状态下 ,依据上述辅助电容之电荷,检测上述光电变换元 件之光电变换量者。 20.一种2维图像感测器驱动方法,其特征在于用于 驱动如申请专利范围第15项之2维图像感测器者; 在连接于上述各薄膜电晶体之全部之辅助电容被 充电特定量之电荷后,利用驱动上述扫描线,使薄 膜电晶体依次呈导通状态,并依据上述辅助电容之 电荷量,检测上述光电变换元件之光电变换量者。 21.一种2维图像感测器驱动方法,其特征在于用于 驱动如申请专利范围第19项之2维图像感测器者; 在连接于上述各薄膜电晶体之全部之辅助电容被 充电特定量之电荷后,在上述光照射手段施行一定 时间之光照射后,停止其光照射,利用驱动上述扫 描线,使薄膜电晶体依次呈导通状态,并依据上述 辅助电容之电荷,检测上述光电变换元件之光电变 换量者。 图式简单说明: 图1系表示本发明之光电变换装置之1像素份之构 成之概略区块图。 图2系表示图1所示之光电变换装置之检测动作之 时间图。 图3系图1所示之光电变换装置之概略构成剖面图 。 图4系图3所示之光电变换装置之闸极电压一汲极 电流之特性图。 图5系表示使用图1所示之光电变换装置之2维图像 感测器之概略构成之区块图。 图6系图5所示之2维图像感测器之概略之立体图。 图7系表示本发明之另一光电变换装置之1像素份 之构成之概略区块图。 图8系表示图7所示之光电变换装置之检测动作之 时间图。 图9系表示图7所示之光电变换装置之另一检测动 作之时间图。 图10系表示图7所示之光电变换装置之又另一检测 动作之时间图。 图11系表示图7所示之光电变换装置之又另一检测 动作之时间图。 图12系表示本发明之又另一光电变换装置之1像素 份之构成之概略区块图。 图13系表示本发明之光电变换装置之1资料线之构 成之等效电路图。 图14系表示防止本发明之光电变换装置之串讯用 之检测动作之时间图。 图15系表示防止本发明之光电变换装置之串讯用 之另一检测动作之时间图。 图16系利用本发明之光电变换装置取得彩色图像 之情形之时间图。 图17系表示本发明之又另一光电变换装置之1像素 份之构成之概略区块图。 图18系表示图17所示之光电变换装置之检测动作之 时间图。 |
