用碳奈米管之导电性材料及其制法

摘要

本发明之目的系提供在成本上有利于大量生产之碳奈米管电极及其制造方法。循环皮带(3)上触媒粒子(12)之碳奈米管(11)会因皮带之移动由化学蒸镀区抵达转印区，随着被动滚筒(2)外侧之旋转逐渐地向水平倾倒时，将碳奈米管(11)由其前端向导电性薄膜(8)推压附着。导电性薄膜(8)，会由薄膜供给装置(9)向下被送出，以加热器(10)加热到软化温度以上熔融温度以下。如此藉由将碳奈米管(11)向导电性薄膜(8)推压附着之方式，将碳奈米管(11)由触媒粒子(12)对于薄膜表面实质上呈垂直地转印于导电性薄膜(8)上。

主权项

1.一种使用碳奈米管之导电性材料之制造方法,其 特征为将基板上以触媒粒子为核心成长之碳奈米 管,以实质上对于薄膜表面为垂直方向转印至导电 性薄膜上。 2.如申请专利范围第1项之导电性材料之制造方法, 其系在转印时的导电性薄膜之温度为在其软化温 度以上熔融温度以下,且转印后将导电性薄膜冷却 至软化温度以下。 3.如申请专利范围第1或2项之导电性材料之制造方 法,其系为连续进行。 4.一种用碳奈米管之导电性材料,其特征为将基板 上以触媒粒子为核心成长之碳奈米管,以实质上对 于薄膜表面为垂直方向转印至导电性薄膜上。 5.如申请专利范围第4项之用碳奈米管之导电性材 料,其系为电极。 图式简单说明: 第1图系说明连续制造碳奈米管电极之制造方法之 示意图。 第2图系说明多层导电性薄膜之层构造之剖面图。 第3图系在第3实施例中所获得之转印后碳奈米管 电极之电子显微镜照片(500倍)。 第4图系说明导电性薄膜之构成之剖面图。 第5图系说明导电性薄膜之构成之剖面图。 第6图系说明导电性薄膜之构成之剖面图。