| 主权项 |
1.一种量测装置,包括: 微波发射装置,用以发出微波至物体; 微波产生器,用以供应微波至该微波发射装置; 侦测器,用以侦测业已从该物体反射或业已穿透该 物体之微波的振幅或相位;以及 分析器,系根据业已由该侦测器侦测到之微波的振 幅或相位,对该物体的构造进行分析。 2.如申请专利范围第1项之量测装置,其中,该分析 器系就反射系数、驻波比、以及表面阻抗之至少 其中一者进行计算。 3.如申请专利范围第1项之量测装置,其中,该分析 器系就物体的厚度、内部缺陷、介电常数、电导 率、以及磁导率之至少其中一者进行量测。 4.一种使基板滑动接触于抛光垫而对该基板进行 抛光的抛光装置,该抛光装置包括: 抛光台,具有该抛光垫; 顶环,用以固持该基板并将该基板压抵该抛光垫; 以及 量测装置,用以量测形成于该基板之表面上的薄膜 的厚度; 其中,该量测装置系包括用以发出微波至该薄膜的 微波发射装置、用以供应微波至该微波发射装置 的微波产生器、用以侦测业已从该薄膜反射或业 已穿透该薄膜之微波的振幅或相位的侦测器、以 及根据业已由该侦测器侦测到之微波的振幅或相 位来对该薄膜之厚度进行量测的分析器。 5.如申请专利范围第4项之抛光装置,其中: 在该顶环中系设置复数个该微波发射装置; 该复数个微波发射装置之其中一者配置在相对于 该基板之中心部份的位置;以及 该复数个微波发射装置中其余的微波发射装置则 配置于该基板径向中远离该基板之中心部份的位 置。 6.如申请专利范围第4项之抛光装置,复包括涡电流 感测器、光学感测器、侦测该抛光垫与该基板间 之摩擦力的摩擦力侦测器、以及侦测该顶环或该 抛光台之扭力的扭力感测器之至少其中一者。 7.一种用以在基板表面形成薄膜的化学气相沈积 装置,该化学气相沈积装置包括: 处理室,于该处理室中对该基板进行沈积; 气体供应装置,用以供应材料气体至该处理室内; 加热器,用以加热基板;以及 量测装置,用以量测形成于该基板的表面上之薄膜 的厚度; 其中,该量测装置包括用以发出微波至薄膜的微波 发射装置、用以供应该微波至该微波发射装置的 微波产生器、用以侦测业已从该薄膜反射或业已 穿透该薄膜之微波的振幅或相位的侦测器、以及 根据业已由该侦测器侦测到之微波的振幅或相位 来对该薄膜之厚度进行分析的分析器。 8.一种量测装置,包括: 发射装置,用以发出线偏振波或圆偏振波至物体; 至少两组接收装置,各该接收装置系用以接收从该 物体反射之反射波; 至少两组侦测器,各该侦测器系用以侦测该反射波 的振幅和相位;以及 分析器,系根据业已由该等侦测器侦测到的振幅和 相位而分析该反射波在偏振状态中的变化,以便量 测该物体的厚度。 9.如申请专利范围第8项之量测装置,其中,该分析 器复量测该物体的介电常数、电导率、磁导率、 以及折射指数。 10.如申请专利范围第8项之量测装置,其中,该物体 系为多层薄膜。 11.一种使基板滑动接触于抛光垫而对该基板进行 抛光的抛光装置,该抛光装置包括: 抛光台,具有该抛光垫; 顶环,用以固持该基板并将该基板压抵该抛光垫; 以及 量测装置,用以量测形成于该基板之表面上的物体 的厚度; 其中,该量测装置系包括:发射装置,用以发出线偏 振波或圆偏振波至该物体;至少两组接收装置,各 该接收装置系用以接收从该物体反射之反射波;至 少两组侦测器,各该侦测器系用以侦测该反射波的 振幅和相位;以及分析器,系根据业已由该等侦测 器侦测到的振幅和相位而分析该反射波在偏振状 态中的变化,以便量测该物体的厚度。 12.如申请专利范围第11项之抛光装置,其中,该发射 装置系配置于该抛光台中。 13.如申请专利范围第11项之抛光装置,其中,该物体 系多层薄膜。 图式简单说明: 第1A图系为显示依据本发明之量测装置之原理的 示意图; 第1B图系为显示反射波振幅和物体厚度间之关系 的曲线图; 第2图系为显示加入依据本发明第一实施例之量测 装置的抛光装置的剖视图; 第3图系为显示依据本发明第一实施例之量测装置 的示意图; 第4A图系为显示第2图所示之抛光装置的概要平面 图; 第4B图系为显示半导体晶圆之待抛光表面的概要 示意图; 第5A图系为显示半导体晶圆表面个别区域之薄膜 厚度量测値随着时间变化之方式的曲线图; 第5B图系为显示薄膜厚度量测値涵盖范围的示意 图; 第6图系为显示膜厚随着时间变化之方式的曲线图 ; 第7A图系为显示包含依据本发明第一实施例之量 测装置的抛光装置另一范例的剖视图; 第7B图系为显示第7A图所示之顶环的放大剖视图; 第8图系为显示加入依据本发明第一实施例之量测 装置的电解抛光装置的剖视图; 第9图系为显示加入依据本发明第一实施例之量测 装置的乾式蚀刻装置的剖视图; 第10图系为显示加入依据本发明第一实施例之量 测装置的镀覆装置的剖视图; 第11图系为显示加入依据本发明第一实施例之量 测装置的CVD装置的剖视图; 第12图系为显示加入依据本发明第一实施例之量 测装置的PVD装置的剖视图; 第13图系为显示椭偏法之原理的示意图;以及 第14图系为显示加入依据本发明第二实施例之量 测装置的抛光装置的剖视图。 |
