| 主权项 |
1.一种奈米碳管锂二次电池,其包括 一正极; 一负极; 一多孔隔离膜,置于该正极与负极之间;及 电解液; 其中,该负极包括一基底,形成于该基底表面之奈 米碳管层,及形成于该奈米碳管层表面之锂金属层 。 2.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该基底系金属材料。 3.如申请专利范围第2项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该金属材料为铜或铝。 4.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该奈米碳管层包括复数奈米碳管垂直形成 于该导电基底之表面。 5.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该奈米碳管层系以化学气相沈积法形成于 该导电基底之表面。 6.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该奈米碳管层系通过移植法形成于该导电 基底之表面。 7.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该正极包括过渡金属之氧化物或硫化物为 活性材料。 8.如申请专利范围第7项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该过渡金属包括Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni或Cu。 9.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该隔离膜由不织布制成。 10.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该隔离膜系由聚丙烯(Polypropylene)、聚乙烯 (Polyethylene)或氟化树脂制备而得。 11.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管锂二次电 池,其中该电解液为非水电解液。 12.一种锂二次电池之负极,其包括 一基底, 一形成于该基底表面之奈米碳管层,及 一形成于该奈米碳管层表面之锂金属层。 13.如申请专利范围第12项所述之锂二次电池之负 极,其中该基底系金属材料。 14.如申请专利范围第13项所述之锂二次电池之负 极,其中该金属材料包括铜及铝。 15.如申请专利范围第12项所述之锂二次电池之负 极,其中该奈米碳管层系包括复数奈米碳管垂直形 成于该基底之表面。 图式简单说明: 第一图系本发明之奈米碳管锂二次电池之剖面示 意图。 第二图系本发明之奈米碳管层形成于导电基底之 示意图。 第三图系于第二图之奈米碳管表面形成锂金属层 之示意图。 |
