发明名称 光电装置之制造方法
摘要 本发明系一种光电装置之制造方法,光电装置,及电子机器,其课题系提供不会损伤配线之情况而可根据蚀刻来去除存在于基板周围及切断面之微小伤痕或断裂之光电装置之制造方法,光电装置,及电子机器,其中解决手段系将采用于光电装置之液晶面板1’切割为单品尺寸后,于 IC安装前,以单品之液晶面板1’之状态,在第1基板10及第2基板20之基板周围及断切面施以潮气蚀刻来从基板周围及切断面去除断裂,此时,由保护层90来包覆形成在伸出范围25之配线部份51,71,IC安装端子26,27,基板安装端子28,及调整标记。
申请公布号 TWI238444 申请公布日期 2005.08.21
申请号 TW092134383 申请日期 2003.12.05
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 村井秀年;花川学
分类号 H01L21/00;G02F1/133 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种光电装置之制造方法,其特征乃对向之基板 及第2基板藉由密封材贴合的光电面板之状态下, 于前述第1基板及前述第2基板之至少基板边缘及 剖面,施以蚀刻,进行从前述第1基板及前述第2基板 除去损伤的蚀刻工程的同时, 于进行该蚀刻工程时,藉由避开前述第1基板及前 述第2基板之至少基板边缘及剖面所形成之保护层 ,被覆在于前述第1基板及前述第2基板露出之配线 之表面的至少一部分。 2.如申请专利范围第1项之光电装置之制造方法,其 中,前述第2基板乃具备有自前述第1基板的基板缘 展开之展开范围, 前述保护层乃被覆设于该展开范围之前述配线者 。 3.如申请专利范围第2项之光电装置之制造方法,其 中,前述展开范围中,形成安装电子零件之电子零 件安装端子,于该电子零件安装端子,在安装前述 电子零件之前,将前述端子之表面以前述保护层被 覆之状态下,进行前述蚀刻工程者。 4.如申请专利范围第3项之光电装置之制造方法,其 中,前述展开范围中,形成安装可挠性基板之基板 安装端子,前述电子零件安装端子,乃连接做为前 述电子零件之积体电路的积体电路安装端子, 于前述积体电路安装端子及前述基板安装端子,于 连接前述积体电路及前述可挠性基板之前,进行前 述蚀刻工程者。 5.如申请专利范围第3项或第4项之光电装置之制造 方法,其中,于前述展开范围中,在前述电子零件安 装端子形成安装前述电子零件时之校准标记, 于进行前述蚀刻时,将前述校准标记之表面以前述 保护层加以被覆者。 6.如申请专利范围第1项之光电装置之制造方法,其 中,前述蚀刻工程之后,除去前述保护层。 7.如申请专利范围第1项之光电装置之制造方法,其 中,前述蚀刻工程之后,除去前述保护层之一部分, 残留另外之部分。 8.如申请专利范围第3项或第4项之光电装置之制造 方法,其中,前述蚀刻工程之后,对于前述保护层中 至少形成于前述电子零件安装端子及前述基板安 装端子之表面的保护层加以除去。 9.如申请专利范围第1项之光电装置之制造方法,其 中,前述配线乃于较前述密封材外围侧,形成于构 成在前述第1基板和前述第2基板间的间隙内。 10.如申请专利范围第9项之光电装置之制造方法, 其中,前述第1基板和前述第2基板之一方具备从另 一方之基板之基板缘展开的展开范围, 前述配线乃包含形成于前述展开范围所成之配线 。 11.如申请专利范围第10项之光电装置之制造方法, 其中,对于针对前述展开范围之第1保护层之形成 及针对前述间隙之第2保护层之形成的任一者而言 ,亦于贴合前述第1基板和前述第2基板之光电面板 之状态加以进行。 12.如申请专利范围第10项之光电装置之制造方法, 其中,前述保护层中,对于针对前述展开范围之第1 保护层之形成及针对前述间隙之第2保护层之形成 的任一者而言,亦于贴合前述第1基板和前述第2基 板之前之基板状态加以进行。 13.如申请专利范围第10项之光电装置之制造方法, 其中,前述保护层中,对于前述展开范围之第1保护 层之形成而言,于贴合前述第1基板和前述第2光电 面板之状态加以进行,对于前述间隙之第2保护层 之形成而言,则于贴合前述第1基板和前述第2基板 之前之基板状态加以进行。 14.如申请专利范围第10项之光电装置之制造方法, 其中,前述保护层中,对于前述展开范围之第1保护 层之形成而言,于贴合前述第1基板和前述第2基板 之前之基板状态加以进行,对于前述间隙之第2保 护层之形成而言,则于贴合前述第1基板和前述第2 光电面板之状态加以进行。 15.如申请专利范围第11项或第14项之光电装置之制 造方法,其中,于前述光电面板之状态,对于前述间 隙形成前述第2保护层时,于前述间隙之开口端之 全周围的至少一部分,涂布保护层形成用之液状物 ,将基板间之该液状物经由毛细管现象,到达前述 间隙之深处及全周围。 16.如申请专利范围第10项至第14项之任一项光电装 置之制造方法,其中,前述展开范围中,形成安装积 体电路之积体电路安装端子, 于该积体电路安装端子,在安装前述积体电路晶片 之前,进行前述蚀刻工程的同时,于进行该蚀刻工 程时,前述积体电路安装端子亦以前述保护层加以 被覆, 前述蚀刻工程后,对于被覆前述保护层中至少前述 积体电路安装端子的保护层则加以除去。 17.如申请专利范围第16项之光电装置之制造方法, 其中,前述展开范围中,形成安装积体电路之积体 电路安装端子,于该积体电路安装端子,安装前述 积体电路晶片之后,进行前述蚀刻工程。 18.如申请专利范围第1项之光电装置之制造方法, 其中,做为前述蚀刻,进行湿蚀刻。 19.如申请专利范围第1项之光电装置之制造方法, 其中,做为前述保护层之全部或一部分,使用与形 成于以前述基板之前述密封材分割之范围内的有 机绝缘膜同时形成之有机绝缘膜。 20.如申请专利范围第1项之光电装置之制造方法, 其中,做为前述保护层之全部或一部分,使用与形 成于以前述基板之前述密封材分割之范围内的无 机绝缘膜同时形成之无机绝缘膜。 图式简单说明:
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