首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 GROWTH OF SINGLE NITRIDE-BASED SEMICONDUCTORS USING SUBSTRATE DECOMPOSITION PREVENTION LAYER AND MANUFACTURING OF HIGH-QUALITY NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DEVICES
摘要
申请公布号 KR20050081916(A) 申请公布日期 2005.08.19
申请号 KR20050070087 申请日期 2005.07.31
申请人 JANG, GOO HYUN 发明人 JANG, GOO HYUN
分类号 H01L33/12;H01L33/32;H01L33/42;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L33/12
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com