发明名称 MASK PATTERN FOR FORMATION OF AN ISOLATED PATTERN, METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND METHOD FOR FORMING AN ISOLATED PATTERN USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100510455(B1) 申请公布日期 2005.08.19
申请号 KR19980004181 申请日期 1998.02.12
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 SON, CHANG JIN;PARK, JUN SU
分类号 H01L21/027;(IPC1-7):H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
地址