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发明名称 GROWTH OF SINGLE NITRIDE-BASED SEMICONDUCTORS USING SUBSTRATE DECOMPOSITION PREVENTION LAYER AND MANUFACTURING OF HIGH-QUALITY NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DEVICES
摘要
申请公布号 KR20050081208(A) 申请公布日期 2005.08.18
申请号 KR20050068785 申请日期 2005.07.28
申请人 JANG, GOO HYUN 发明人 JANG, GOO HYUN
分类号 H01L33/00;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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