| 发明名称 | 以减少远处散射的栅极氧化制造高性能金属氧化物半导体晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种MOS晶体管结构(200，210，400)，和一种制造方法(300，500)，提供高k电介质栅极绝缘体(202，402)以降低栅极漏电流并同时减少远处散射，由此改善晶体管载流子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN1656596A | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN03811420.8 | 申请日期 | 2003.05.13 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | 金铉席;J·杰昂 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L29/51;H01L29/49 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种MOS晶体管，包括：源极和漏极区域(108，112)，其形成于半导体衬底(102)中，并于该源极区域和漏极区域间定义沟道区域(201)；栅极绝缘体(202)，覆盖着沟道区域(201)，其中该栅极绝缘体(202)包括：第一薄二氧化硅层(204)，覆盖着沟道区域(201)；高k材料层(208)，覆盖着第一薄二氧化硅层(204)；第二薄二氧化硅层(206)，覆盖着高k材料层(208)；以及掺杂的多晶硅栅极(118，218)，覆盖着栅极绝缘体(202)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||