| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：包含元件的第1衬底；贯通所述第1衬底的第1栓塞，所述第1栓塞的材料为导电材料，且所述第1栓塞与所述元件电连接；设置在所述第1衬底上方的第2衬底，所述第2衬底通过所述的第1栓塞与所述元件电连接；以及贯通所述第1衬底的第2栓塞，所述第2栓塞的材料为非绝缘材料，所述第2栓塞不与所述第2衬底电连接，且所述第2栓塞用于检测所述第1衬底的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1215542C | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN02154213.9 | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 泽田佳奈子;佐佐木圭一 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：包含元件的第1衬底；贯通所述第1衬底的第1栓塞，所述第1栓塞的材料为导电材料，且所述第1栓塞与所述元件电连接；设置在所述第1衬底上方的第2衬底，所述第2衬底通过所述第1栓塞与所述元件电连接；以及贯通所述第1衬底的第2栓塞，所述第2栓塞的材料为非绝缘材料，所述第2栓塞不与所述第2衬底电连接，且所述第2栓塞用于检测所述第1衬底的厚度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||